型号：MTNK1N3
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：1 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：4 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：85 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：110 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：90 pF @ VDS = 15 V
　　输出电容（Coss）：45 pF @ VDS = 15 V
　　反向传输电容（Crss）：10 pF @ VDS = 15 V
　　开启延迟时间（td(on)）：5 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：10 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：SOT-723
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　功耗（Ptot）：200 mW

MTNK1N3采用先进的沟槽型MOSFET结构，通过优化的单元设计实现了极低的导通电阻与寄生电容之间的平衡，从而显著提升开关效率并降低导通损耗。其典型RDS(on)值在VGS = 10V时仅为85mΩ，在轻载或中等负载条件下表现出优异的能效表现，特别适用于需要节能设计的应用场景。该器件具有快速开关响应能力，开启和关闭延迟时间分别仅为5ns和10ns，有助于减少开关过程中的交越损耗，提高整体系统效率。此外，由于其输入电容（Ciss）仅为90pF，驱动所需的能量较小，兼容低压逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　器件的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，意味着它可以在较低的栅极驱动电压下开始导通，适用于3.3V甚至1.8V逻辑系统的接口控制。这种低阈值特性使得MTNK1N3非常适合用于电池供电设备中的负载开关或电源路径管理。SOT-723超小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，配合合理的布局设计可有效散发工作时产生的热量。同时，该器件具备较强的抗静电放电能力，HBM模型下可承受±2000V以上的ESD冲击，增强了在自动化装配和现场使用中的鲁棒性。
　　MTNK1N3的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境温度下稳定运行，适用于工业级应用场景。其材料符合无铅（Pb-free）和无卤素（Halogen-free）要求，满足现代电子产品对环保法规的严格规范。整体而言，MTNK1N3是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的N沟道MOSFET，是现代高密度电子系统中理想的功率开关元件。

MTNK1N3常用于便携式消费类电子产品中的电源开关和负载切换电路，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模块供电控制以及外设电源管理。它也广泛应用于DC-DC降压变换器的同步整流部分，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。在电池管理系统中，该器件可用于过流保护或充放电路径的通断控制，确保系统安全运行。此外，MTNK1N3还可作为通用N沟道开关用于各类微控制器I/O扩展后的功率驱动，例如驱动LED指示灯、小型继电器或传感器模块的使能信号。由于其体积小巧且电气性能优良，该器件同样适用于空间受限的可穿戴设备、物联网终端节点以及医疗监控设备中的低功耗电源管理设计。在工业自动化领域，MTNK1N3可用于PLC模块内部的信号隔离与驱动电路，提供可靠的开关功能。

RN2001N

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