时间：2025/7/25 21:28:10
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MTN2N60J3 是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电路中。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：2A
导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
MTN2N60J3 MOSFET具有优异的热稳定性和可靠性，适用于各种电源管理应用。其高耐压能力（600V）使其在高电压系统中表现出色。该器件的导通电阻相对较低，有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，MTN2N60J3具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小外围电路的尺寸和成本。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，提高了系统的整体稳定性。MTN2N60J3采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于各种工业和消费类电子产品。
在实际应用中，MTN2N60J3可作为负载开关、DC-DC转换器中的开关元件，以及电机驱动和照明控制等场景中的功率控制器件。其优良的电气特性和可靠性使其成为许多中高功率电子系统中的首选MOSFET。
MTN2N60J3 常用于电源管理模块、DC-DC转换器、LED照明驱动、电机控制电路、UPS系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制部分。
MTN6N60J3, MTN7N60J3
