类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电压 Vds：500V
　　最大漏极电流 Id：2A
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2V ~ 4V
　　导通电阻 Rds(on)：≤ 2.5Ω @ Vgs = 10V
　　功耗 PD：30W
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

MTN2N50 是一款适用于中高功率应用的 N 沟道 MOSFET，具备良好的电压和电流承受能力。其最大漏源电压可达 500V，使其适用于高压开关应用，例如电源适配器、离线电源和工业控制设备。
　　该器件的导通电阻较低，在 10V 栅极驱动电压下 Rds(on) 可低至 2.5Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，MTN2N50 具备较快的开关速度，适用于中高频开关应用，从而减小功率转换器的体积并提高响应速度。
　　MTN2N50 的封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和使用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应于各种工业环境下的稳定运行。
　　由于其较高的电压额定值和适中的电流能力，MTN2N50 在需要高压隔离和中等功率控制的场合中具有较高的可靠性，适合用于设计紧凑型电源系统和负载开关控制电路。

MTN2N50 主要应用于高压功率转换设备，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、负载开关、电机控制电路、逆变器、LED 照明驱动器、电池充电管理系统以及工业自动化控制设备等。
　　在开关电源中，MTN2N50 可用于主功率开关或辅助电源开关，实现高效的能量转换。在电机控制和负载切换应用中，该器件能够提供稳定的导通性能和可靠的断开隔离。
　　此外，MTN2N50 也适用于需要高压隔离的传感器和执行器控制电路，以及作为高压侧开关用于桥式拓扑结构中。

IRF840, FQP12N50C, STP12NM50ND, 2SK2647