MTM70N10 时间：2025/9/2 20:17:46 阅读：15

MTM70N10是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高功率应用。这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频率下工作，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（Id）：70A
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤7.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-263（D2Pak）或TO-220

特性

MTM70N10具有较低的导通电阻，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件支持高电流通过，适用于需要大功率输出的应用场景。此外，其高耐压能力（100V）确保了在高压工作条件下的稳定性和可靠性。
　　MTM70N10的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间工作，确保了其与多种驱动电路的兼容性。该MOSFET的封装形式（如TO-263或TO-220）便于散热，适用于高功率密度设计。此外，其良好的热稳定性和抗过载能力使其在高温环境下也能稳定运行。
　　MTM70N10还具备快速开关特性，能够适应高频开关电源和逆变器的设计需求，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统效率。其低栅极电荷（Qg）进一步降低了驱动损耗，提高了系统的动态响应能力。