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MTM24N45E 发布时间 时间:2025/9/3 14:32:18 查看 阅读:11

MTM24N45E是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效、高可靠性的电力电子系统中。该器件由Micro Commercial Components(MCC)生产,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高电流开关应用。MTM24N45E的结构优化使其能够在高电压和高电流条件下稳定运行,具备良好的导通特性和较低的开关损耗。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:24A
  最大漏源电压:450V
  导通电阻(Rds(on)):0.23Ω
  栅极电压范围:±30V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

MTM24N45E具有多项优异的电气特性,确保其在各类高功率应用中稳定运行。其最大漏极电流为24A,漏源电压耐受能力高达450V,使其适用于高压直流和交流电源控制应用。该MOSFET的导通电阻为0.23Ω,在同类器件中表现良好,有助于降低导通损耗并提高系统效率。栅极电压范围为±30V,具有较高的抗干扰能力,防止因过压导致的误触发或损坏。此外,MTM24N45E采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适合在高温环境下工作,工作温度范围为-55°C至150°C,确保其在极端环境中的稳定性。该器件的开关特性也较为出色,具备较快的上升和下降时间,有助于减少开关损耗并提高系统的响应速度。MTM24N45E还具备较高的热稳定性和抗短路能力,可在异常工况下提供额外的保护,延长器件寿命。
  在可靠性方面,MTM24N45E经过严格的测试与验证,符合多种工业标准,适用于需要高稳定性的应用场景,如电源供应器、不间断电源(UPS)、逆变器和电机驱动系统。同时,其封装设计支持简易安装,便于在PCB上布局和焊接,提高了生产效率和系统维护的便捷性。

应用

MTM24N45E广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、不间断电源(UPS)、逆变器、电机控制模块以及工业自动化设备。在电源管理领域,该器件可作为主开关元件,用于调节和稳定输出电压;在DC-DC转换器中,MTM24N45E能够实现高效的能量转换,提高整体系统效率;在逆变器和电机控制应用中,它可用于实现高频开关控制,提升系统动态响应性能。此外,MTM24N45E也适用于照明控制、智能家电以及电动汽车相关设备中的电源转换模块。

替代型号

MTM24N45E可以替代的型号包括IRF740、FQA24N45、STP24N45、2SK2141等。这些型号在电气参数和封装形式上与MTM24N45E相似,可作为备选方案用于相同的应用场景。

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