类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA（在25°C环境温度下）
　　最大耗散功率（Pd）：300mW
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为5Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

MTM1N100具有低导通电阻的特性，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。由于其N沟道结构和增强型工作模式，该器件在零栅极电压时处于关闭状态，仅在施加足够的正向栅极电压时才会导通，从而提供了更好的控制灵活性。
　　该MOSFET具备快速开关能力，适合用于高频开关电路，减少开关损耗并提升响应速度。此外，其TO-92封装不仅节省空间，还便于手工焊接和安装，适用于原型设计和小功率应用。
　　MTM1N100的高耐压特性（100V Vds）使其能够承受较高的电压应力，适用于多种中低功率电源转换器和负载开关设计。器件的稳定性和可靠性较高，能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多样化场景。

MTM1N100广泛应用于小功率开关电路、LED驱动器、电池管理系统、电源管理模块以及各种需要高效控制电流流动的电子设备中。由于其快速开关特性和低导通电阻，该器件也适用于DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。
　　此外，MTM1N100还可用于保护电路，如反向电流阻断和过载保护，确保系统的安全运行。其紧凑的TO-92封装形式也使其成为对空间要求较高的便携式电子产品和传感器模块中的理想选择。

2N7000, 2N7002, BSS138