时间：2025/8/5 23:18:53
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MTI85W100GC-SMD 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。该器件采用 SMD（表面贴装）封装，具有优良的热管理和电气性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和功率放大器等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：85A
最大漏源电压 (VDS)：100V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：12.5mΩ（典型值）
功耗 (PD)：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SMD（表面贴装）
栅极电荷 (Qg)：120nC（典型值）
漏源击穿电压 (BVDSS)：100V
输入电容 (Ciss)：2800pF（典型值）
MTI85W100GC-SMD 以其高性能和可靠性著称。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流应用中减少功率损耗，提高系统效率。同时，该器件具有高耐压能力（BVDSS = 100V），使其适用于中高压功率转换应用。
此外，MTI85W100GC-SMD 的封装设计优化了热管理性能，能够在高功率条件下保持良好的散热能力，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和电机控制电路。
值得一提的是，MTI85W100GC-SMD 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统的整体能效。同时，其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于各种严苛的工业和汽车环境。
MTI85W100GC-SMD 广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 电源管理系统：如服务器电源、电信电源和工业电源模块。
2. DC-DC 转换器：适用于高效能电源转换系统，如笔记本电脑、电动汽车和工业控制设备。
3. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和伺服控制系统。
4. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车和储能系统的功率控制部分。
5. 功率放大器：适用于音频和射频功率放大器的设计。
6. 逆变器和不间断电源（UPS）：用于电力电子设备中的能量转换和调节。
SiHF85N100E, IXFN88N100P, FCP85N100
