MTH13N50 时间：2025/7/29 11:35:51 阅读：4

MTH13N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用高压工艺制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的开关速度，适用于中高功率应用。MTH13N50通常封装在TO-220或TO-252（DPAK）等标准功率封装中，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：13A（@TC=100℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：40nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252等

特性

MTH13N50具有多项优异的电气性能和可靠性特点，适用于多种功率电子系统。首先，其最大漏源电压达到500V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为13A，在良好的散热条件下能够支持中等功率级别的负载切换。导通电阻Rds(on)典型值为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，MTH13N50的栅极电荷（Qg）为40nC，属于中等水平，意味着其开关速度较快，适用于较高频率的PWM控制应用。输入电容Ciss为1100pF，在高频开关应用中需注意驱动电路的设计，以确保快速而稳定的开关性能。
　　该器件的工作温度范围为-55℃至+150℃，表现出良好的热稳定性和环境适应能力。封装形式方面，常见的TO-220和TO-252封装具备良好的散热能力，便于集成到PCB中，并可通过散热片进一步提高散热效率。
　　总体来看，MTH13N50以其高耐压、低导通电阻、良好的热性能和通用性，成为工业控制、开关电源、逆变器、电机驱动等应用中的理想选择。

应用

MTH13N50常用于多种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及各类功率开关控制电路。其高压耐受能力和中等电流承载能力使其特别适合于需要高效率、高可靠性的电源管理应用。例如，在电源适配器中，MTH13N50可用作主开关管；在电机控制中，可用于H桥结构实现方向切换；在太阳能逆变系统中，也可用于功率转换部分。