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MTFC32GLTDM-WT 发布时间 时间:2025/12/27 4:20:02 查看 阅读:12

MTFC32GLTDM-WT是一款由Kioxia(原东芝存储)推出的嵌入式闪存解决方案,属于其高可靠性、高性能的e.MMC(embedded MultiMediaCard)产品系列。该器件专为需要紧凑尺寸、低功耗和稳定数据存储性能的移动及嵌入式应用而设计,广泛应用于智能手机、平板电脑、物联网设备、工业控制终端以及车载信息娱乐系统等场景。MTFC32GLTDM-WT采用BGA封装形式,集成了NAND闪存芯片与控制器于一体,支持e.MMC接口标准(通常兼容JESD84-B51或类似规范),工作电压为1.8V,适用于对功耗敏感的便携式设备。该型号标称容量为32GB,实际可用用户空间略低于此值,遵循标准的块寻址方式,具备良好的读写性能和耐久性。作为e.MMC 5.1版本的产品,它支持HPI(Host Power Interface)、背景操作、安全擦除、写保护等多种功能,并内置ECC纠错机制、坏块管理、磨损均衡算法,确保长期运行的可靠性和数据完整性。此外,MTFC32GLTDM-WT在设计上注重温度适应能力,可在宽温范围内稳定工作,适合工业级环境使用。

参数

品牌:Kioxia
  型号:MTFC32GLTDM-WT
  产品类型:e.MMC Flash 存储器
  接口标准:e.MMC 5.1
  工作电压:1.8V
  容量:32GB
  封装类型:BGA
  引脚数:169球阵列
  工作温度范围:-25°C 至 +85°C
  存储温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大数据传输速率:约52MB/s(DDR模式)
  平均无故障时间(MTBF):>10,000小时
  是否支持HPI:是
  是否支持Trim命令:是
  ECC状态报告:支持
  写入耐久性:典型1万次编程/擦除周期
  数据保持期:常温下可达10年

特性

MTFC32GLTDM-WT具备出色的集成度与稳定性,其核心特性之一是内置智能闪存控制器,能够自动执行复杂的底层管理任务,如动态和静态磨损均衡、坏块替换、垃圾回收以及强大的多层级ECC纠错技术,有效延长使用寿命并提升数据安全性。控制器还支持自适应读取刷新机制,在检测到读干扰风险时主动迁移数据,防止数据丢失。
  该器件支持e.MMC 5.1协议中的高速双倍数据速率(HS-DDR)模式,理论带宽可达200Mbps以上,实际持续读取速度可达50MB/s左右,满足大多数中端嵌入式系统的多媒体处理需求。同时,它提供多种电源管理模式,包括待机、休眠和深度睡眠模式,显著降低空闲状态下的功耗,特别适合电池供电设备。
  在可靠性方面,MTFC32GLTDM-WT通过了严格的工业级测试认证,能够在恶劣环境下保持稳定运行。其固件经过优化,具备断电保护能力,在意外掉电情况下可最大限度减少文件系统损坏的风险。此外,该器件支持安全启动、写保护区域配置、一次性可编程(OTP)寄存器等功能,增强了系统安全性与防篡改能力。
  从系统集成角度看,e.MMC接口标准化程度高,软硬件开发门槛较低,客户无需自行开发复杂的NAND驱动程序,缩短了产品上市时间。Kioxia还提供了完整的参考设计文档和技术支持资源,便于快速导入项目应用。

应用

MTFC32GLTDM-WT广泛应用于各类嵌入式与移动计算平台。在消费电子领域,常见于入门级智能手机、儿童平板电脑、电子书阅读器和便携式导航仪中,为其操作系统、应用程序和用户数据提供可靠的本地存储支持。在工业自动化场景中,该器件用于人机界面(HMI)、工控机、数据采集终端和条码扫描设备,凭借其宽温特性和高抗干扰能力,确保长时间不间断运行。
  在物联网(IoT)生态系统中,MTFC32GLTDM-WT被用于智能家居网关、远程监控设备和无线传感器节点,承担固件存储与日志缓存功能。其低功耗特性有助于延长设备续航时间,尤其适用于部署在偏远地区的边缘计算装置。
  此外,在汽车电子方面,该型号可用于车载信息娱乐系统(IVI)、数字仪表盘辅助模块或行车记录仪中,存储地图数据、媒体文件或系统镜像。虽然未达到车规级AEC-Q100标准,但在非关键路径的应用中仍具有较高的性价比优势。
  由于其标准化接口和成熟的技术生态,MTFC32GLTDM-WT也常被用于各类开发板和评估套件中,作为原型验证阶段的理想存储方案,帮助工程师加速产品开发流程。

替代型号

THGBM5G7B2JBAIL
  MTFC32GAKAJCN-4MEI-IT
  EMMC32G-T102
  KMMA3200BM_B211

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MTFC32GLTDM-WT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列e?MMC?
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存 - NAND
  • 存储容量256Gb
  • 存储器组织32G x 8
  • 存储器接口MMC
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳-
  • 供应商器件封装-