时间：2025/7/23 18:46:38
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MTE50N15H8 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的技术设计，具有高性能和可靠性，广泛用于各种电源管理和功率转换应用。MTE50N15H8 是一款N沟道增强型MOSFET，适用于需要高电流和高功率密度的场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：150V
连续漏极电流（Id）：50A（在Tc=25℃时）
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=10V时最大为0.025Ω
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-247
MTE50N15H8 采用先进的PowerMESH技术，这使得它在导通电阻和开关损耗之间取得了良好的平衡。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET具有出色的雪崩能量吸收能力，可以承受瞬时的高电压冲击，从而提高设备的可靠性和耐用性。MTE50N15H8 还具有快速的开关速度，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电源管理系统。
其封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适合在高功率密度设计中使用。这种封装还提供了良好的电气隔离和机械强度，确保了长期使用的稳定性。
MTE50N15H8 常用于各种高功率电子设备中，包括但不限于：
- 电源供应器（如开关电源、UPS系统）
- 电机驱动器和逆变器
- DC-DC转换器和电池充电器
- 工业自动化和控制系统
- 太阳能逆变器和储能系统
该器件的高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源管理和功率转换的理想选择。
STP50NF15, IRF50N15D, FDP50N15
