时间：2025/3/26 8:49:55
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MTE8064PT-UR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-220，适合高电流和高电压场景，广泛应用于工业、汽车以及消费电子领域。
该芯片通过优化沟道结构实现了更低的功耗和更高的效率，同时具备良好的热特性和可靠性，能够满足严苛的工作环境需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
工作结温范围：-55℃ to +150℃
封装类型：TO-220
1. 高耐压能力，支持高达 650V 的漏源电压，适用于高压系统。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω 典型值），显著降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷仅为 35nC，有助于减少开关损耗。
4. 宽温度范围操作，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的极端环境下稳定运行。
5. 强大的散热能力，得益于 TO-220 封装形式，适合高功率密度应用。
6. 可靠性高，经过严格的质量测试，确保在恶劣条件下的长期稳定性。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电机驱动电路，例如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 电磁炉、微波炉等家电产品的功率控制模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节。
5. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率级元件。
6. 汽车电子领域，如启动马达、发电机控制单元 (GCU) 等。
MTE7N60C3, IRF840A, STP14NB65W
