类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：30A（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：约70mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：180W（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220F

MTE30N20FP具备一系列优异的电气和热性能特点，适用于中高功率的开关应用。
　　首先，其最大漏源电压为200V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中压电源系统。栅源电压支持±30V，提高了栅极控制的灵活性，并增强了器件的抗干扰能力。该MOSFET的最大漏极电流为30A，能够支持较高功率的负载驱动，适用于大电流应用场景，如电机驱动、电源转换器和电池管理系统。
　　其次，MTE30N20FP的导通电阻约为70mΩ，这使得在导通状态下产生的功率损耗较小，从而提高了整体系统的效率并降低了散热要求。该器件的功率耗散能力为180W，具备良好的热稳定性，可以在高负载条件下稳定工作。
　　此外，MTE30N20FP采用TO-220F封装形式，具备优良的散热能力和机械强度，适用于工业级环境。其工作温度范围从-55°C至+150°C，能够在恶劣温度条件下稳定运行，确保系统可靠性。
　　综合来看，MTE30N20FP是一款性能优异的MOSFET器件，适用于需要高电压、中大电流以及高效能转换的应用场景。

MTE30N20FP广泛应用于多个电力电子领域。在电源管理系统中，它可作为DC-DC转换器或AC-DC整流器的开关元件，提升电源转换效率。在电机控制和驱动电路中，MTE30N20FP能够提供稳定的高电流输出，适用于无刷直流电机、步进电机等控制模块。此外，该器件也适用于工业自动化设备、智能家电、储能系统和电动车控制器等高可靠性应用场景。

IRF30N20D, FQA30N20, FDP30N20