类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：250V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：240A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为7.5mΩ（典型值为6.5mΩ）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-264

MTE240N25FP具有多项优异特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流处理能力（240A），适合用于大功率开关电路。此外，MTE240N25FP具备良好的热稳定性和高温耐受能力，可在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其TO-264封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和使用寿命。该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗并提高整体系统性能。同时，MTE240N25FP的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了其在不同控制电路中的兼容性。
　　另一个显著优势是该器件的耐用性和抗冲击能力。MTE240N25FP设计用于承受高电压和大电流的冲击，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩击穿能力，能够有效防止因电压突变引起的损坏。这种高可靠性使其成为工业电源、电机驱动、太阳能逆变器等关键应用的理想选择。

MTE240N25FP广泛应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。常见的应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机控制、DC-AC逆变器、DC-DC转换器以及各种高功率开关电源。此外，该MOSFET也适用于电动汽车（EV）充电设备、储能系统和太阳能逆变器等新能源技术领域。由于其优异的导热性能和高耐压能力，MTE240N25FP在高温和高负载环境下依然能够保持稳定的性能，因此在工业自动化和重型机械控制电路中也得到了广泛应用。

IXFH240N25P3、IRFP4668、STY240N25F7、AUP240N25F