MTDF1P02HDR2G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装(SMD)双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频放大和开关应用,具有优异的性能和可靠性。MTDF1P02HDR2G采用SOT-23封装,适用于空间受限的电子设备中。其高增益、低噪声和快速响应的特性使其成为射频(RF)和模拟电路中的理想选择。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Pd):300mW
增益带宽积(fT):250MHz
电流增益(hFE):110-800(根据工作电流不同)
封装类型:SOT-23
MTDF1P02HDR2G具有出色的高频性能,适用于射频和模拟信号放大电路。其高电流增益(hFE)范围为110至800,确保了良好的放大线性度和稳定性。
该晶体管的低噪声系数使其非常适合用于前置放大器和其他对噪声敏感的应用场景。
此外,MTDF1P02HDR2G的SOT-23封装形式便于自动化装配,并且占用PCB空间较小,适合紧凑型设计。
其最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极电流为100mA,能够在较宽的电压和电流范围内稳定工作。
晶体管的快速开关特性也使其适用于数字开关电路,提供快速响应和较低的开关损耗。
器件的热阻较低,有助于提高散热效率,从而增强器件的可靠性。
MTDF1P02HDR2G广泛应用于射频放大器、模拟信号放大电路、前置放大器、音频放大器、低噪声放大器等高频模拟电路中。
此外,该晶体管也可用于数字开关电路、传感器接口电路、电压调节器以及便携式电子设备中的信号处理模块。
在通信设备中,MTDF1P02HDR2G常用于无线接收器和发射器的前端放大电路,提供良好的信号增益和噪声性能。
由于其高频特性和低噪声系数,该晶体管也适用于测试仪器、医疗电子设备和工业控制系统的信号处理部分。
其SOT-23封装形式使其成为自动化生产和紧凑型电路设计的理想选择。
BC847系列, 2N3904, 2N2222A, MMBT3904