MTD9N10E1 时间：2025/7/23 18:49:13 阅读：9

MTD9N10E1 是一款由 Microchip Technology 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和优秀的热性能。MTD9N10E1 适用于多种应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：9A
　　导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大）
　　功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

MTD9N10E1 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。这种低 Rds(on) 使得器件在高电流应用中表现优异，同时减少了热量的产生，提高了整体系统的热稳定性。
　　此外，该器件具有高耐压能力，漏源电压额定值为 100V，适用于多种中高功率应用。其 ±20V 的栅源电压额定值确保了器件在高噪声环境中仍能稳定工作，提高了可靠性和抗干扰能力。
　　MTD9N10E1 采用 TO-252（DPAK）封装，提供了良好的热管理和机械稳定性，便于在各种 PCB 设计中安装和散热。这种封装形式也支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和焊接可靠性。
　　另一个显著特性是其高功率耗散能力，2.5W 的功耗使得该器件可以在较高温度环境下工作而不至于过热损坏。结合其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C），MTD9N10E1 非常适合用于需要在极端环境条件下工作的电子设备。
　　此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，减少了开关损耗，并支持高频操作，适用于需要高动态性能的电源转换系统。