MTD75N03RT4G 时间：2025/6/6 10:18:43 阅读：5

MTD75N03RT4G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性。其封装形式为TO-220FP，适用于各种需要高效功率转换的应用场景，如电机驱动、开关电源和负载切换等。

参数

最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　持续漏极电流(Id)：75A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
　　总功耗(Ptot)：160W
　　结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

MTD75N03RT4G具有非常低的导通电阻，仅为4.5毫欧姆，这使得它在大电流应用中表现出色，同时减少了功率损耗。此外，该器件还具备快速开关速度，能够有效降低开关损耗，提高整体效率。
　　由于采用了优化的热设计，该MOSFET能够在较高的结温下稳定工作，最高支持到175℃，从而增强了系统的可靠性和耐用性。
　　其耐压值为30V，适合低压系统中的功率管理需求，而高达75A的持续漏极电流能力则确保了其在高负载条件下的性能表现。

应用

这款MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、电池管理系统(BMS)、电动工具、汽车电子以及工业自动化设备等领域。具体来说，它可以用于：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件；
　　2. 电动汽车及混合动力汽车内的逆变器控制；
　　3. 各种电机驱动电路以实现高效能量传递；
　　4. 负载切换和保护电路以保障系统安全运行。