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MTD5P06VT4G 发布时间 时间:2025/6/29 15:08:17 查看 阅读:3

MTD5P06VT4G 是一款由 Micron(美光)生产的 NAND Flash 存储芯片,主要应用于嵌入式系统、消费类电子设备以及工业控制领域。该芯片采用 3D TLC 架构技术,具备高容量、高性能和低功耗的特点。其接口类型为 Toggle Mode 2.0,能够提供更高的数据传输速率,适合需要快速读写操作的应用场景。
  该型号中的参数定义如下:MTD 表示 Micron NAND 系列;5P 表示容量代码,代表 512Gb(64GB);06 表示 I/O 接口宽度为 8 位;VT 表示工作电压范围为 1.8V;4G 表示单颗芯片的存储密度为 4GB。

参数

容量:512Gb (64GB)
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  I/O 宽度:8 位
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA 169 球
  数据传输速率:最高可达 400 MT/s
  擦写寿命:约 3K 次
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-40°C 至 +95°C

特性

MTD5P06VT4G 具备以下显著特性:
  1. 高性能:采用 Toggle Mode 2.0 接口,支持高达 400 MT/s 的数据传输速率,能够满足对速度要求较高的应用需求。
  2. 大容量:单颗芯片提供 512Gb(64GB)的存储容量,适合需要大容量存储的应用场景。
  3. 低功耗:优化的电路设计使其在运行和待机模式下均具有较低的功耗,延长了电池供电设备的续航时间。
  4. 可靠性:采用 3D TLC 技术,具备良好的数据完整性和擦写耐久性,适用于各种恶劣环境下的应用。
  5. 小型化封装:采用 BGA 169 球封装,节省 PCB 空间,适合空间受限的设计。

应用

MTD5P06VT4G 主要应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如路由器、交换机和其他网络设备中的固件存储。
  2. 消费类电子产品:包括智能手机、平板电脑、数码相机等,用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
  3. 工业控制:如 PLC、HMI 和其他工业自动化设备中的程序和数据存储。
  4. 车载电子:如导航系统、信息娱乐系统和驾驶辅助系统中的数据存储。
  5. 医疗设备:如超声波设备、CT 扫描仪等医疗成像设备中的数据记录与存储。

替代型号

MT29F512G08CMEAA

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MTD5P06VT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 2.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MTD5P06VT4GOSMTD5P06VT4GOS-NDMTD5P06VT4GOSTR