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MTD3055V 发布时间 时间:2025/5/27 18:58:19 查看 阅读:16

MTD3055V是一种NPN型的大功率晶体管,广泛应用于高电流开关和线性放大电路中。该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压、较大的电流处理能力和较低的饱和电压,适合在需要大功率输出的应用场景中使用。
  这种晶体管通常用于音频功率放大器、电机控制、开关电源等应用领域,能够承受相对较高的电压和电流负载,同时保持良好的稳定性和可靠性。

参数

集电极-发射极击穿电压:60V
  集电极最大电流:15A
  功耗:200W
  直流电流增益(hFE):20~200
  集电极-基极反向击穿电压:60V
  集电极-发射极饱和电压:2.5V(max)
  存储温度范围:-55℃ to +150℃
  工作结温:-55℃ to +150℃

特性

MTD3055V是一款大功率NPN晶体管,具备以下主要特性:
  1. 高电流承载能力:其最大集电极电流可达15A,适用于驱动大功率负载。
  2. 较高的击穿电压:集电极-发射极和集电极-基极击穿电压均为60V,确保了器件在高压环境下的稳定性。
  3. 较低的饱和电压:在导通状态下,晶体管的饱和电压仅为2.5V(最大值),有助于降低功耗和发热。
  4. 广泛的工作温度范围:能够在-55℃到+150℃的环境下正常工作,适应多种极端条件。
  5. 可靠性高:经过严格测试,确保长时间运行中的稳定性与可靠性。
  6. 封装形式为TO-220,便于散热设计和安装。

应用

MTD3055V晶体管广泛应用于以下领域:
  1. 音频功率放大器:作为输出级晶体管,提供足够的电流以驱动扬声器。
  2. 电机驱动:用于控制直流或步进电机的速度和方向。
  3. 开关电源:在开关模式电源中用作开关元件。
  4. 线性稳压器:用于构建高效的线性稳压电路。
  5. 负载切换:实现对大电流负载的快速开启和关闭控制。
  6. 继电器驱动:提供足够电流来驱动电磁继电器或其他感性负载。

替代型号

TIP3055, MJD3055, 2SD1408

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MTD3055V参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds500pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MTD3055V-NDMTD3055VTR