类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：200V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id（@25°C）：8.0A
　　导通电阻 Rds(on)：0.115Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散 Pd：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

MTD3055V-1G 具备多项优良的电气和热性能特性。首先，其漏源耐压（Vds）高达 200V，使其适用于中高电压的功率转换应用。其次，该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 仅为 0.115Ω（在 Vgs=10V 时），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，支持高达 ±20V 的栅源电压，确保在不同驱动条件下仍能稳定工作。
　　MTD3055V-1G 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提高了组装效率和可靠性。该器件的热阻（RθJA）约为 62°C/W，在自然冷却条件下也能承受一定功率的连续工作。同时，其内部结构设计优化，具备良好的抗雪崩击穿能力，提升了在高能量开关应用中的稳定性与安全性。
　　在动态性能方面，MTD3055V-1G 具有较低的输入电容（Ciss）和快速的开关速度，使其适用于高频开关应用。其开启和关断延迟时间较短，有助于减少开关损耗，提高转换效率。此外，该 MOSFET 具有良好的抗干扰能力，适合在复杂的电磁环境中稳定运行。

MTD3055V-1G 适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关和电源管理模块等。在开关电源中，该器件可作为主开关或同步整流器使用，提供高效能的功率转换。在电机控制应用中，MTD3055V-1G 可用于驱动小型直流电机或步进电机，实现精确的转速与方向控制。
　　在电池供电设备中，该 MOSFET 可用于构建高效的电源管理系统，实现电池的充放电控制与负载切换。此外，MTD3055V-1G 也可用于工业自动化设备、智能家电、LED 照明驱动器以及 UPS（不间断电源）等应用中。由于其封装形式适合自动化贴片生产，因此在大批量制造中具有较高的性价比和可靠性。

IRF3055, FDP3055, STP30NF20, FQP30N20