类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：200 V
　　漏极电流 Id（连续）：14 A
　　导通电阻 Rds(on)：0.075 Ω（最大值）
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2 V 至 4 V
　　功耗 PD：50 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

MTD3055ERL 具备多项优异的电气和热性能特性。其最大漏源电压为 200V，适用于中高压开关应用。连续漏极电流可达 14A，能够支持较高功率的负载驱动。导通电阻 Rds(on) 的最大值为 0.075Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。该 MOSFET 的栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，与常见的逻辑电平兼容，便于与微控制器或其他数字电路直接连接。TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的热管理性能，还支持表面贴装安装，简化了 PCB 设计。此外，该器件的功耗为 50W，能够在较高温度环境下稳定运行。MTD3055ERL 还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了器件在极端条件下的可靠性。
　　另一个显著的优势是其适用于高频开关应用。由于其快速的开关特性，MTD3055ERL 可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制电路以及电池管理系统。同时，该器件的封装设计允许其在有限空间内进行有效的散热，进一步提升了整体系统效率和稳定性。此外，MTD3055ERL 还具备良好的抗静电能力（ESD），能够承受一定程度的静电冲击，从而减少在生产、运输和使用过程中因静电放电导致的损坏风险。

MTD3055ERL 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可作为主开关元件，用于调节输出电压和电流。在 DC-DC 转换器中，MTD3055ERL 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效能的电压转换。此外，该 MOSFET 还广泛用于电机驱动电路，作为 H 桥结构中的开关元件，提供精确的速度和方向控制。在电池管理系统中，MTD3055ERL 可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。除此之外，该器件还可用于工业自动化控制、照明系统、不间断电源（UPS）以及电动车控制器等应用领域。

IRF3005, FDP3055, STP16NF20, SiHH3055