MTD2N50ET4是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,专为高效率、高频率开关应用设计。该型号采用N沟道增强型技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种电源管理场景,包括开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等。
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压:500V
额定电流:2A
导通电阻:3.5Ω(典型值,@VGS=10V)
栅极电荷:16nC(最大值)
输入电容:420pF(典型值)
开关时间:开通时间25ns,关断时间15ns
结温范围:-55℃至+150℃
MTD2N50ET4的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力:该器件支持高达500V的漏源极击穿电压,能够适应高压应用场景。
2. 低导通电阻:在特定的工作条件下,导通电阻仅为3.5Ω,从而减少了功率损耗并提升了系统效率。
3. 快速开关性能:凭借极低的开关时间和栅极电荷,这款MOSFET非常适合高频开关电路。
4. 稳定性强:具备良好的热稳定性和电气稳定性,确保长时间运行下的可靠表现。
5. 小型化封装:通常采用紧凑型表面贴装封装形式,节省PCB空间,适合小型化设计需求。
MTD2N50ET4广泛应用于以下领域:
1. 开关电源:用于AC-DC或DC-DC转换中的高频开关。
2. 电机驱动:适用于小功率直流电机控制。
3. 电子负载保护:提供过流保护功能。
4. 脉宽调制(PWM)控制器:实现高效的脉冲信号处理。
5. 其他电力电子设备:如逆变器、电池管理系统(BMS)等。
IRF540N
STP55NF06L
FQP27P06