您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MTD2N50ET4

MTD2N50ET4 发布时间 时间:2025/4/30 17:46:52 查看 阅读:21

MTD2N50ET4是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,专为高效率、高频率开关应用设计。该型号采用N沟道增强型技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种电源管理场景,包括开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  额定电压:500V
  额定电流:2A
  导通电阻:3.5Ω(典型值,@VGS=10V)
  栅极电荷:16nC(最大值)
  输入电容:420pF(典型值)
  开关时间:开通时间25ns,关断时间15ns
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

MTD2N50ET4的主要特性包括以下几点:
  1. 高耐压能力:该器件支持高达500V的漏源极击穿电压,能够适应高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在特定的工作条件下,导通电阻仅为3.5Ω,从而减少了功率损耗并提升了系统效率。
  3. 快速开关性能:凭借极低的开关时间和栅极电荷,这款MOSFET非常适合高频开关电路。
  4. 稳定性强:具备良好的热稳定性和电气稳定性,确保长时间运行下的可靠表现。
  5. 小型化封装:通常采用紧凑型表面贴装封装形式,节省PCB空间,适合小型化设计需求。

应用

MTD2N50ET4广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源:用于AC-DC或DC-DC转换中的高频开关。
  2. 电机驱动:适用于小功率直流电机控制。
  3. 电子负载保护:提供过流保护功能。
  4. 脉宽调制(PWM)控制器:实现高效的脉冲信号处理。
  5. 其他电力电子设备:如逆变器、电池管理系统(BMS)等。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FQP27P06

MTD2N50ET4推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价