MTD2N50ET4 时间：2025/4/30 17:46:52 阅读：35

MTD2N50ET4是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效率、高频率开关应用设计。该型号采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种电源管理场景，包括开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　额定电压：500V
　　额定电流：2A
　　导通电阻：3.5Ω（典型值，@VGS=10V）
　　栅极电荷：16nC（最大值）
　　输入电容：420pF（典型值）
　　开关时间：开通时间25ns，关断时间15ns
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

MTD2N50ET4的主要特性包括以下几点：
　　1. 高耐压能力：该器件支持高达500V的漏源极击穿电压，能够适应高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：在特定的工作条件下，导通电阻仅为3.5Ω，从而减少了功率损耗并提升了系统效率。
　　3. 快速开关性能：凭借极低的开关时间和栅极电荷，这款MOSFET非常适合高频开关电路。
　　4. 稳定性强：具备良好的热稳定性和电气稳定性，确保长时间运行下的可靠表现。
　　5. 小型化封装：通常采用紧凑型表面贴装封装形式，节省PCB空间，适合小型化设计需求。

应用

MTD2N50ET4广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源：用于AC-DC或DC-DC转换中的高频开关。
　　2. 电机驱动：适用于小功率直流电机控制。
　　3. 电子负载保护：提供过流保护功能。
　　4. 脉宽调制（PWM）控制器：实现高效的脉冲信号处理。
　　5. 其他电力电子设备：如逆变器、电池管理系统（BMS）等。