类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　连续漏极电流（Id）：18 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：72 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：0.035 Ω @ Vgs = 10 V
　　导通电阻Rds(on)：0.045 Ω @ Vgs = 4.5 V
　　阈值电压Vgs(th)：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容Ciss：1300 pF @ Vds = 50 V
　　输出电容Coss：470 pF @ Vds = 50 V
　　反向恢复时间trr：28 ns
　　功耗Pd：125 W
　　工作结温范围：-55 °C ~ +175 °C
　　封装/外壳：DPAK（TO-252）

MTD214Q采用先进的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件在10V栅极驱动条件下可实现低至35mΩ的典型Rds(on)，而在4.5V逻辑电平驱动下仍能保持45mΩ以下的导通电阻，这使其兼容多种驱动电路，包括基于PWM控制器的低压控制系统。这种低Rds(on)特性特别适用于大电流应用场景，如电源同步整流、H桥电机驱动和电池供电设备中的负载切换。
　　该MOSFET具备优异的开关性能，得益于其较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），能够实现快速的开关响应，降低开关过程中的能量损耗。其栅极电荷Qg典型值约为40nC（@Vds=50V, Id=9A），有助于减少驱动电路所需的驱动功率，进一步提升能效。同时，较短的反向恢复时间（trr=28ns）意味着体二极管在反向恢复过程中产生的损耗较小，这对桥式电路中防止直通电流和电磁干扰（EMI）至关重要。
　　热稳定性方面，MTD214Q的最大工作结温可达+175°C，并具备良好的热阻特性（RθJC ≈ 1.6°C/W），结合DPAK封装的优良散热能力，可在高温环境下长期可靠运行。器件内部结构经过优化，提升了抗雪崩能力和dv/dt耐受性，增强了在瞬态过压或感性负载切换时的鲁棒性。此外，该MOSFET通过了AEC-Q101车规级可靠性测试，表明其在严苛环境下的耐用性和可靠性，可用于部分车载电子系统。综合来看，MTD214Q在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中高功率开关应用的理想选择。

MTD214Q广泛应用于多种中等功率电子系统中，尤其适合需要高效能开关行为的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压或升压转换器，其中它常作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻来降低传导损耗，提高转换效率。在电机控制领域，该器件可用于驱动直流电机或步进电机的H桥电路，提供快速响应和低功耗操作，适用于打印机、家用电器和小型工业设备。
　　此外，MTD214Q也常用于负载开关电路，控制电源对特定模块的供电通断，例如在嵌入式系统中实现外设电源管理，以节省待机功耗。其高电流承载能力和稳定的开关特性使其适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制路径。在照明系统中，特别是LED驱动电源中，该MOSFET可用于恒流调节或PWM调光控制环节。
　　由于其封装支持良好的热传导，MTD214Q还适用于紧凑型高密度PCB设计，特别是在空间受限但需一定功率处理能力的应用中表现优异。工业自动化设备、网络通信电源模块以及消费类电子产品（如显示器电源板、游戏机电源）中也常见其身影。凭借其高可靠性与宽温度工作范围，该器件还可部署于环境条件较为恶劣的工业现场设备中。

IRFZ44N, FQP30N06L, STP16NF06, IRLB8743, SI4404DY