时间：2025/6/18 11:19:55
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MTD10N10ELT4G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 MTD 系列。它采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换和负载驱动应用。该器件封装为 TO-220AB，适合高电流和高电压场景。
MTD10N10ELT4G 的设计使其能够承受高达 100V 的漏源极电压，并提供较低的导通电阻以减少功率损耗。这使得其在电源管理、电机控制以及 DC-DC 转换等应用中表现出色。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：10A
导通电阻：9.5mΩ
栅极电荷：28nC
开关速度：快速
封装形式：TO-220AB
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻 (Rds(on))，可有效降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 栅极阈值电压稳定，便于驱动电路设计。
5. 具备优秀的热性能，适合高功率密度的应用环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的负载切换。
3. 电池保护和电子保险丝。
4. 逆变器和 UPS 系统中的关键组件。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED 驱动器和固态照明解决方案。
IRFZ44N, FDP5570, STP10NK60Z
