时间：2025/5/29 17:21:07
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MTD10N10ELT4是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该型号由Microchip Technology生产，广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。其设计旨在提供高效率、低导通电阻和快速开关能力，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理解决方案。
MTD10N10ELT4采用了先进的制造工艺，具有出色的热性能和电气特性，使其能够在高电流和高电压环境下稳定运行。此外，该器件还具有极低的栅极电荷和输出电容，从而提高了系统的整体效率并降低了开关损耗。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：10A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：27nC
总电容：1350pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，得益于低栅极电荷和优化的输出电容设计。
3. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的严格要求。
5. 封装形式为TO-220，便于散热和安装，同时支持表面贴装和通孔安装方式。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机控制与驱动
4. 负载切换和保护电路
5. 工业自动化设备中的功率级管理
6. 消费类电子产品中的高效电源管理模块
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