时间：2025/6/4 10:40:57
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MTC-G3-B06 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，属于第三代半导体器件。它专为高频、高效应用场景设计，具有低导通电阻和快速开关性能，能够显著提升电源转换效率并减小系统尺寸。
该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，适用于 DC-DC 转换器、PFC 电路、无线充电以及快充适配器等应用领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：6A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：45nC
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MTC-G3-B06 具备高击穿电压和低导通损耗的特点，其超低的 Qg 和 Rds(on) 值使其在高频开关条件下表现出色。此外，该器件内置了过温保护和短路保护功能，增强了系统的可靠性。
由于采用了 GaN 技术，MTC-G3-B06 的开关速度远高于传统硅基 MOSFET，从而减少了死区时间和能量损失。
封装形式为 LFPAK8 封装，具备优良的散热性能和电气连接能力。
MTC-G3-B06 广泛应用于消费电子、工业设备及通信领域，具体包括：
1. USB PD 快速充电器
2. 高效 AC-DC 开关电源
3. 图形处理器 (GPU) 和中央处理器 (CPU) 的 VRM 模块
4. 无线电力传输系统
5. LED 照明驱动器
6. 电机驱动逆变器
MTC-G3-A05, MTC-G3-C08
