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MTC-G3-B06 发布时间 时间:2025/6/4 10:40:57 查看 阅读:6

MTC-G3-B06 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于第三代半导体器件。它专为高频、高效应用场景设计,具有低导通电阻和快速开关性能,能够显著提升电源转换效率并减小系统尺寸。
  该器件采用增强型场效应晶体管(e-mode FET)结构,适用于 DC-DC 转换器、PFC 电路、无线充电以及快充适配器等应用领域。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:80mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关频率:高达5MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

MTC-G3-B06 具备高击穿电压和低导通损耗的特点,其超低的 Qg 和 Rds(on) 值使其在高频开关条件下表现出色。此外,该器件内置了过温保护和短路保护功能,增强了系统的可靠性。
  由于采用了 GaN 技术,MTC-G3-B06 的开关速度远高于传统硅基 MOSFET,从而减少了死区时间和能量损失。
  封装形式为 LFPAK8 封装,具备优良的散热性能和电气连接能力。

应用

MTC-G3-B06 广泛应用于消费电子、工业设备及通信领域,具体包括:
  1. USB PD 快速充电器
  2. 高效 AC-DC 开关电源
  3. 图形处理器 (GPU) 和中央处理器 (CPU) 的 VRM 模块
  4. 无线电力传输系统
  5. LED 照明驱动器
  6. 电机驱动逆变器

替代型号

MTC-G3-A05, MTC-G3-C08

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MTC-G3-B06参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列MultiConnect?
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 功能收发器,调制解调器
  • 调制或协议GPRS
  • 频率850MHz,900MHz,1.8GHz,1.9GHz
  • 应用通用
  • 接口RS-232
  • 灵敏度-
  • 功率 - 输出-
  • 数据速率(最大值)85.6kbps
  • 特性-