MTC-G3-B06 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于第三代半导体器件。它专为高频、高效应用场景设计,具有低导通电阻和快速开关性能,能够显著提升电源转换效率并减小系统尺寸。
该器件采用增强型场效应晶体管(e-mode FET)结构,适用于 DC-DC 转换器、PFC 电路、无线充电以及快充适配器等应用领域。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:6A
导通电阻:80mΩ
栅极电荷:45nC
开关频率:高达5MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
MTC-G3-B06 具备高击穿电压和低导通损耗的特点,其超低的 Qg 和 Rds(on) 值使其在高频开关条件下表现出色。此外,该器件内置了过温保护和短路保护功能,增强了系统的可靠性。
由于采用了 GaN 技术,MTC-G3-B06 的开关速度远高于传统硅基 MOSFET,从而减少了死区时间和能量损失。
封装形式为 LFPAK8 封装,具备优良的散热性能和电气连接能力。
MTC-G3-B06 广泛应用于消费电子、工业设备及通信领域,具体包括:
1. USB PD 快速充电器
2. 高效 AC-DC 开关电源
3. 图形处理器 (GPU) 和中央处理器 (CPU) 的 VRM 模块
4. 无线电力传输系统
5. LED 照明驱动器
6. 电机驱动逆变器
MTC-G3-A05, MTC-G3-C08