时间：2025/12/27 7:52:04
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MTB55N10J3是一款由Magnachip Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率、高频率的电力电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，能够在低导通电阻和高开关速度之间实现良好的平衡，从而有效降低导通损耗和开关损耗，提高整体系统效率。MTB55N10J3的额定电压为100V，最大连续漏极电流可达55A，适用于中等功率级别的应用场合。其封装形式通常为TO-263（D2PAK）或类似的表面贴装封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产。该MOSFET设计用于在高温环境下稳定工作，具有较高的结温耐受能力，通常可支持高达175°C的工作结温，增强了其在严苛工业环境中的可靠性。此外，MTB55N10J3内置了快速恢复体二极管，能够有效应对反向电流需求，提升电路在感性负载下的工作安全性。由于其优异的电气特性和热管理能力，MTB55N10J3被广泛用于通信电源、服务器电源模块、电动工具、汽车电子及工业控制系统中。
型号：MTB55N10J3
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：55A
最大脉冲漏极电流（Idm）：220A
导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ @ Vgs=10V, Id=27.5A
导通电阻（Rds(on)）：13.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=27.5A
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：4500pF @ Vds=50V, Vgs=0V
输出电容（Coss）：950pF @ Vds=50V, Vgs=0V
反向传输电容（Crss）：180pF @ Vds=50V, Vgs=0V
栅极电荷（Qg）：130nC @ Vgs=10V, Id=55A
反向恢复时间（trr）：35ns
最大功耗（Pd）：200W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
