时间：2025/9/3 14:30:07
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MTB15N06V是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路中。MTB15N06V采用TO-220封装形式，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在工业和消费类电子设备中使用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤45mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
MTB15N06V功率MOSFET具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流工作条件下具有较低的导通损耗，从而提高系统效率。该器件的60V漏源电压额定值允许其在中高功率应用中稳定工作。此外，MTB15N06V具备较高的栅极阈值电压稳定性，确保在不同工作条件下仍能可靠导通或关断。
该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有良好的雪崩能量承受能力和抗过载能力，适合在高可靠性要求的应用中使用。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，以进一步提升热管理效率。MTB15N06V还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和PWM控制电路。此外，该器件的栅极驱动要求较低，可以与常见的控制器或驱动IC兼容，简化设计和应用过程。
MTB15N06V广泛应用于各类功率电子设备中。常见用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化控制系统。由于其高电流能力和良好的热性能，MTB15N06V也适用于需要高效能和高可靠性的车载电子系统和消费类电子产品。
IRFZ44N, FDPF15N06L, STP15NF06L, IRLZ44N
