MT9221CT-21BR5是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种电源管理和电机驱动场景。其封装形式支持高效的热传导,确保在高电流负载下的稳定运行。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并且具备出色的电气性能和可靠性。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):43A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):180W
结温范围(Tj):-55°C至+175°C
封装形式:TO-247-3
MT9221CT-21BR5具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频操作环境。
3. 高电流承载能力,使其能够在大功率应用中表现优异。
4. 强大的抗雪崩能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 支持宽范围的工作温度,适应各种恶劣环境条件。
6. 封装设计优化散热性能,提升长期使用中的稳定性。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
5. 各类DC-DC转换器和AC-DC适配器。
6. 汽车电子系统的功率管理单元。
MT9221CT-21BR3, IRFZ44N, FDP5500