时间：2025/12/27 3:17:32
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MT8HTF12864HDZ-667H1 是由 Micron（美光）公司生产的一款高性能、低功耗的 DDR2 SDRAM（双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器）模块，属于其 ECC UDIMM（带错误校验和纠正功能的无缓冲双列直插内存模块）产品系列。该内存模块专为需要高可靠性和数据完整性的服务器、工作站及嵌入式系统等应用环境设计。它采用 240-pin DIMM 接口标准，支持在 1.8V 电压下工作，符合 JEDEC 标准的 DDR2-667（PC2-5300）规范，数据传输速率为 667 MT/s，提供 1GB 的存储容量（128M x 64 架构），并集成 ECC 功能以检测和纠正单比特错误，防止系统因数据损坏而崩溃。该模块具备自动刷新、自刷新模式、温度补偿自刷新（TCSR）和部分阵列自刷新等节能特性，有助于降低系统功耗。MT8HTF12864HDZ-667H1 通过严格的测试和验证，确保在工业级温度范围内稳定运行，适用于对稳定性要求较高的应用场景。
类型：DDR2 SDRAM
形式：ECC UDIMM
容量：1GB
引脚数：240-pin
数据速率：DDR2-667 (667 MT/s)
带宽：PC2-5300
工作电压：1.8V ± 0.1V
时序：5-5-5-15 @ 667MHz
CAS 延迟 (CL)：5
工作温度：0°C 至 +85°C
存储温度：-55°C 至 +100°C
刷新周期：64ms / 8192 行
封装：TSOP
ECC 支持：是，单比特纠错，双比特检错
MT8HTF12864HDZ-667H1 的核心特性之一是其集成了 ECC（Error-Correcting Code）功能，能够在数据读写过程中实时检测并纠正单比特错误，同时检测到双比特错误时发出警报，显著提升了系统的数据完整性和运行可靠性。这一特性对于服务器、网络设备和工业控制系统等不能容忍数据错误的应用至关重要。该模块基于 DDR2 技术架构，采用双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均传输数据，有效提升数据吞吐率，实现 667 MT/s 的传输速率和 PC2-5300 级别的带宽性能，满足中高端计算平台对内存带宽的需求。
该内存模块采用 1.8V 低电压设计，相较于早期的 DDR 内存，功耗更低，有助于减少系统发热并延长硬件寿命。其支持多种节能模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self-Refresh）以及温度补偿自刷新（TCSR），可根据系统负载和环境温度动态调整刷新频率，在保证数据保持的同时最大限度降低功耗。此外，该模块支持部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh），允许系统仅刷新活跃的数据区域，进一步优化能效表现。
MT8HTF12864HDZ-667H1 具备良好的兼容性和稳定性，遵循 JEDEC 标准规范，可在工业级温度范围（0°C 至 +85°C）内可靠运行，适应各种严苛的工作环境。其 240-pin UDIMM 封装形式便于安装和更换，广泛适用于支持 DDR2 ECC 内存的主板平台。美光作为全球领先的存储厂商，对该产品进行了严格的质量控制和老化测试，确保长期使用的耐久性和一致性，是构建高可用性系统的理想选择之一。
MT8HTF12864HDZ-667H1 主要应用于对数据完整性要求较高的企业级和工业级系统中。典型应用包括入门级和中端服务器，用于运行数据库服务、虚拟化平台、文件存储和 Web 托管等任务，ECC 功能可有效防止因内存软错误导致的服务中断或数据损坏。该模块也广泛用于高性能工作站，特别是在工程仿真、视频编辑和科学计算等领域，保障长时间运行下的计算准确性。
此外，该内存适用于网络基础设施设备，如路由器、交换机和防火墙，确保在网络高负载情况下仍能稳定处理数据包。在工业自动化控制系统、医疗设备、通信基站和嵌入式工控机中，MT8HTF12864HDZ-667H1 凭借其工业级温度适应能力和高可靠性，能够应对复杂电磁环境和宽温变化的挑战。它也可用于需要 ECC 支持的高端桌面平台或小型存储设备（NAS），为专业用户提供更强的数据保护能力。
MT8HTF12864HZ-667H, MT18KTF12864HZ-667H, M393T2880CHS-CF7
