MT5C6408F-70 是由 Micron Technology 制造的一款高速 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要高性能和可靠性的应用场合,例如工业控制系统、网络设备和通信设备等。MT5C6408F-70 的存储容量为 64K x 8 位,采用标准的异步接口,支持读写操作。
工作电压:3.3V 至 5.5V
存储容量:64K x 8 位
访问时间:最大 70ns
封装类型:TSOP 或 SOJ 封装
引脚数量:54 引脚或 44 引脚
输入/输出接口:CMOS 兼容
温度范围:商业级 (0°C 至 +70°C) 或 工业级 (-40°C 至 +85°C)
功耗:典型待机电流小于 10mA
数据保持电压:最低 2V
MT5C6408F-70 SRAM 芯片具有多项优异性能。首先,其高速访问时间为 70ns,能够满足对数据存取速度要求较高的系统需求。其次,它具备宽泛的工作电压范围(3.3V 至 5.5V),使其能够兼容多种电源管理系统,并在不同的应用场景中灵活使用。
此外,MT5C6408F-70 提供了低功耗模式,在待机状态下电流消耗极低,这使得它非常适合用于电池供电设备或对能效要求较高的嵌入式系统。在数据保持方面,即使电压下降到 2V,仍能维持数据不丢失,确保系统的稳定运行。
该芯片采用标准的异步控制信号,包括地址锁存使能(ALE)、写使能(WE#)、输出使能(OE#)等,简化了与微处理器或控制器的连接。其封装形式通常为 TSOP 或 SOJ,适合高密度 PCB 布局并具备良好的散热性能。
MT5C6408F-70 主要应用于需要高速缓存和低功耗特性的嵌入式系统。常见用途包括工业自动化设备中的缓冲存储器、路由器和交换机的数据包缓存、智能卡终端、便携式仪器仪表以及各种实时控制系统。由于其可靠性高且工作温度范围广,也广泛用于汽车电子和航空航天领域。
IS61LV6416-10B4I