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MT5C6408ECW-70 发布时间 时间:2025/6/27 17:09:20 查看 阅读:21

MT5C6408ECW-70 是由 Micron(美光)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为 64K x 8 位,也就是总共 512K 位的存储空间。这款芯片采用高速 CMOS 技术制造,适用于需要快速访问和低功耗操作的应用场景。封装形式为 32 引脚 SOJ(Small Outline J-Lead),适合工业级温度范围工作。

参数

类型:SRAM
  容量:64K x 8 位(512K 位)
  电压:3.3V 或 5V(取决于具体型号后缀)
  访问时间:70 纳秒(最大值)
  封装类型:32 引脚 SOJ
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  读取/写入周期时间:100 纳秒
  输入/输出电平:TTL 兼容
  待机电流:最大 10mA(典型值)

特性

MT5C6408ECW-70 SRAM 芯片具有多项显著特性,首先是其高速访问能力,70 纳秒的访问时间确保了在高频系统中也能提供稳定的数据响应。其次是其宽泛的工作电压范围,支持 3.3V 和 5V 两种电源供电,这使得它能够适应多种系统设计需求。
  此外,该芯片采用了低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,非常适合对能耗敏感的应用。它的 TTL 输入/输出电平兼容性也简化了与各种控制器或处理器的接口设计。
  封装方面,32 引脚 SOJ 封装提供了良好的散热性能和空间利用率,适用于紧凑型电路板布局。同时,工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)保证了该芯片能够在严苛的环境条件下正常运行。

应用

MT5C6408ECW-70 SRAM 芯片广泛应用于工业控制设备、通信设备、网络路由器、测试仪器以及嵌入式系统等领域。由于其高速度和低功耗的特性,常被用作缓存存储器、临时数据存储单元或高速缓冲区。在需要快速读写和可靠性的应用场景中,这款芯片表现尤为出色。

替代型号

IS61LV64L8ALB4A-70BLLI-S, CY62148EVLL-70ZSXC, IDT71V416SA85B

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