MT5692SMI-L-34.R1是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为SOP-8,适合表面贴装技术(SMT),广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
该器件在设计时注重效率优化,能够有效降低功耗并提高系统的整体性能。同时,它还具备良好的电磁兼容性(EMC)和抗干扰能力,能够在复杂的工作环境中保持稳定运行。
型号:MT5692SMI-L-34.R1
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):34A
导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V条件下)
总功耗(Ptot):70W
工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
封装形式:SOP-8
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达34A的连续漏极电流。
3. 快速开关特性,可有效降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
5. 内置静电保护(ESD)功能,增强了器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅。
7. SOP-8封装形式,适合自动化生产和紧凑型设计需求。
8. 支持宽范围的工作温度,适应多种恶劣环境。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统的保护电路。
5. 汽车电子中的负载切换控制。
6. 工业设备中的功率调节模块。
7. 消费类电子产品中的高效能功率管理方案。
IRF540N
STP36NF06L
FDP5570N
AO3400