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MT53D512M16D1DS-046 WT:D 发布时间 时间:2025/10/22 10:35:10 查看 阅读:8

MT53D512M16D1DS-046 WT:D 是由Micron(美光)公司生产的一款低功耗双倍数据速率4(LPDDR4)同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该器件采用高密度封装技术,专为移动和便携式电子产品设计,提供高速数据传输能力与较低的功耗表现,适用于智能手机、平板电脑、超薄笔记本和其他对能效要求较高的嵌入式系统。这款内存芯片的容量为8Gb(即512M x 16位),工作电压为VDD/VDDQ = 1.8V/1.1V,支持双通道x16架构,整体带宽高,能够满足现代应用处理器对大吞吐量内存访问的需求。器件采用BGA封装形式,具备良好的电气性能和热稳定性,适合在紧凑型PCB布局中使用。MT53D512M16D1DS-046 WT:D 中的‘WT’表示其封装类型为晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP),而‘D’代表产品等级或温度范围,通常表示工业级温度操作能力。该器件符合RoHS环保标准,并通过了严格的可靠性测试,确保在复杂环境下的长期稳定运行。此外,该型号支持LPDDR4标准中的多种省电模式,如预充电电源关闭(Precharge Power Down)、激活电源关闭(Active Power Down)以及自刷新模式(Self-Refresh),从而进一步优化系统整体能耗。

参数

品牌:Micron
  型号:MT53D512M16D1DS-046 WT:D
  存储容量:8 Gb
  组织结构:512M x 16
  工作电压:VDD/VDDQ = 1.8V / 1.1V
  时钟频率:最高可达1066 MHz(数据速率2133 Mbps)
  数据速率:2133 Mbps per pin (x16)
  封装类型:WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package)
  引脚数:96-ball FBGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  兼容标准:JESD209-4 LPDDR4
  接口类型:并行同步差分时钟输入
  刷新模式:自动刷新、自刷新
  每片bank数量:8 banks
  支持功能:ZQ校准、ODT(动态终端电阻)、Deep Power Down Mode

特性

MT53D512M16D1DS-046 WT:D 具备多项先进的技术特性,使其成为高性能移动计算设备中的理想选择。
  首先,该芯片基于LPDDR4标准设计,采用双通道x16架构,在每个时钟周期内可在上升沿和下降沿同时传输数据,实现高达2133Mbps的数据传输速率(Data Rate),显著提升了系统的整体带宽效率。这种高带宽能力特别适合处理高清视频播放、大型游戏渲染以及多任务操作系统等对内存吞吐量要求极高的应用场景。
  其次,该器件支持双电压供电机制:核心电压VDD为1.8V,I/O电压VDDQ为1.1V,有效降低了信号切换过程中的功耗,同时提高了信号完整性。配合片上终端电阻(On-Die Termination, ODT)功能,可在读写操作期间动态启用内部终端匹配,减少反射噪声,提升高速信号质量。
  再者,MT53D512M16D1DS-046 WT:D 内部集成了8个独立的bank组,允许交错访问不同bank以提高并发性和访问效率,从而减少等待时间,提升响应速度。它还支持多种低功耗管理模式,包括预充电掉电模式、激活掉电模式和自刷新模式,系统可根据实际负载灵活切换这些模式,最大限度地延长电池续航时间。
  此外,该芯片具备ZQ校准功能,可通过外部参考电阻定期调整输出驱动阻抗和ODT值,确保长时间运行下的电气稳定性。其采用的WLCSP封装不仅体积小巧,节省PCB空间,而且具有优异的散热性能和高频响应能力,非常适合高密度集成设计。
  最后,该器件通过了AEC-Q100等可靠性认证,具备出色的抗干扰能力和温度适应性,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行,适用于工业级和汽车级电子系统。

应用

该芯片广泛应用于各类高性能便携式电子设备中,尤其适用于对功耗敏感且需要高带宽内存支持的应用场景。
  在智能手机和平板电脑领域,MT53D512M16D1DS-046 WT:D 可作为主内存与高端应用处理器(如高通骁龙、联发科天玑、三星Exynos等)配合使用,支撑流畅的用户界面操作、多任务处理、4K视频解码及AI计算任务。
  在可穿戴设备中,例如智能手表或AR/VR头显设备,其低功耗特性和小尺寸封装使其成为理想的内存解决方案,有助于延长设备续航并缩小整机体积。
  此外,该芯片也适用于嵌入式工控系统、车载信息娱乐系统(IVI)、无人机飞控模块以及边缘AI推理设备等需要可靠内存支持的工业与物联网终端。
  由于其支持宽温工作范围和高可靠性,还可用于部分汽车电子模块,特别是在非动力总成类电子系统中,满足车载环境下的严苛要求。
  同时,该器件也能用于超轻薄笔记本电脑(Ultrabook)和二合一设备中,提供足够的内存容量和速度以支持Windows或Android操作系统的高效运行。

替代型号

MT53E512M16D1DS-046 WT:A
  MT53D512M16D2DS-046 WT:D
  AS4C32M16D4LF-216BIN

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MT53D512M16D1DS-046 WT:D参数

  • 现有数量1,488现货
  • 价格1 : ¥78.39000托盘
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织512M x 16
  • 存储器接口-
  • 时钟频率2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.1V
  • 工作温度-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳200-WFBGA
  • 供应商器件封装200-WFBGA(10x14.5)