型号：MT49H8M36HT-33
　　制造商：Micron Technology
　　器件类型：DDR2 SDRAM SO-DIMM
　　总容量：256 Meg x 36 (≈ 1152 Mbit)
　　数据宽度：36位
　　ECC支持：是
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　时钟频率：最高133MHz
　　数据速率：DDR2-266
　　访问时间：3-3-3-9 (CL3)
　　封装类型：SO-DIMM
　　引脚数：200-pin
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级，依批次而定）
　　刷新模式：自动/自刷新
　　供电电流：典型值根据负载变化，最大约400mA（核心）+ 100mA（I/O）
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C

MT49H8M36HT-33具备多项先进特性，使其成为工业和嵌入式系统中的理想选择。首先，其集成的ECC（Error Correction Code）功能可在运行过程中实时检测并纠正单比特内存错误，防止因软错误导致的数据损坏或系统崩溃，这在长时间运行的关键任务系统如路由器、交换机、工业控制器中至关重要。其次，该模块采用DDR2架构，利用双倍数据速率技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿都进行数据传输，有效提升数据带宽至传统SDRAM的两倍以上，满足高速数据处理需求。其36位数据总线宽度包含32位数据加4位ECC校验位，既保证了常规数据通路效率，又实现了冗余校验能力。此外，该模块支持多种低功耗模式，包括待机模式、预充电待机模式以及深度自刷新模式，能够在系统空闲时显著降低功耗，延长设备使用寿命，尤其适用于电源受限的嵌入式平台。
　　在物理设计方面，MT49H8M36HT-33采用200针SO-DIMM封装，尺寸紧凑，便于在空间有限的主板上安装，广泛应用于工控机、网络终端、医疗设备及车载系统等场景。其内部组织结构优化良好，支持突发长度可编程（Burst Length programmable）、突发类型顺序或交错选择，提高了内存访问灵活性。器件还具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，可根据环境温度调整刷新率，在高温环境下保持数据完整性的同时避免过度刷新带来的额外功耗。所有控制信号均与时钟同步，简化了时序管理，提升了系统稳定性。最后，该模块通过严格的JEDEC标准认证，并经过Micron全面的质量控制流程，确保长期供货能力和批次一致性，适合需要长期维护和批量部署的应用项目。

MT49H8M36HT-33主要应用于对数据完整性、稳定性和性能有较高要求的工业与嵌入式系统领域。常见用途包括工业自动化控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和工业PC，这些设备通常需要在恶劣环境中持续运行，ECC功能可以有效防止由于电磁干扰或宇宙射线引起的内存错误，保障生产安全。在网络通信设备中，如企业级路由器、交换机、防火墙和基站控制器，该内存模块提供足够的带宽和可靠性来处理高速数据包转发和路由表查找操作。此外，它也被用于电信基础设施设备、测试与测量仪器、医疗成像设备以及军事和航空航天领域的加固型计算平台。
　　由于其SO-DIMM小尺寸封装，MT49H8M36HT-33特别适合空间受限但性能不能妥协的设计，例如便携式诊断设备、车载信息娱乐系统和边缘计算网关。在数字标牌、POS终端和安全监控DVR/NVR系统中，该模块能够支持多通道视频流的缓存与处理。同时，因其符合RoHS指令且具备良好的热稳定性，也适用于绿色节能和户外部署的产品设计。总体而言，任何需要高可靠性、带ECC功能的DDR2内存的嵌入式应用场景，都是MT49H8M36HT-33的适用范围。

MT47H64M8HR-3:/E,MTC16T8ADS-33EA1,MTC16T8ADS-33EB1