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MT47H64M16NF-25E:M 发布时间 时间:2025/6/22 13:24:10 查看 阅读:5

MT47H64M16NF-25E 是一款由 Micron(美光)生产的 DDR3 SDRAM 内存芯片。该芯片主要用于需要高性能数据传输和存储的应用场景,例如计算机主板、服务器和其他电子设备。
  DDR3 技术相比前代 DDR2 提供了更高的带宽和更低的功耗,同时支持更高频率的操作。MT47H64M16NF-25E 特别适合对速度和容量有较高要求的应用。

参数

类型:DDR3 SDRAM
  容量:64M x 16
  总容量:1GB (单颗)
  电压:1.35V
  速度:800MHz (PC3-6400)
  封装:FBGA 78-ball
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:1mm
  I/O 标准:LVDS
  数据宽度:16位

特性

MT47H64M16NF-25E 使用 DDR3 技术提供高带宽的数据传输能力。其主要特性包括:
  - 支持高达 800MHz 的时钟频率,有效数据速率为 1600MT/s。
  - 内置 ODT (On-Die Termination) 功能以改善信号完整性。
  - 集成自动刷新和省电模式以优化功耗表现。
  - 支持突发长度为 4 或 8 的操作模式。
  - 具备先进的 ECC (Error Correction Code) 功能,能够检测和纠正单比特错误。
  - 符合 JEDEC DDR3 标准,确保与广泛使用的内存控制器兼容。

应用

这款芯片适用于需要高性能内存的多种应用场景,包括但不限于:
  - 台式电脑和笔记本电脑的主内存模块 (DIMM 和 SO-DIMM)。
  - 工业控制设备中的数据存储模块。
  - 网络通信设备,如路由器和交换机。
  - 医疗设备和测试测量仪器。
  - 嵌入式系统中作为外部存储器扩展。
  - 游戏主机和多媒体设备中的高速缓存。

替代型号

MT47H64M16LF-25E:G, MT47H64M16LR-25E:K

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MT47H64M16NF-25E:M参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-FBGA(8x12.5)