类型：DDR2 SDRAM
　　容量：1 Gb (64M x 16)
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　封装：90-ball FBGA (6mm x 10mm)
　　速度等级：-187E (375 Mbps/pin)
　　组织结构：64M x 16
　　数据宽度：16位
　　工作温度：商业级（0°C 至 +70°C）或工业级（-40°C 至 +85°C），依据具体版本
　　最大时钟频率：187 MHz（等效数据速率375 Mbps）
　　CAS延迟（CL）：4, 5, 6 可选
　　刷新周期：64ms / 8192 rows ≈ 7.8μs
　　输入/输出电平：SSTL_18
　　封装引脚数：90-ball
　　存储器架构：8 banks
　　预充电时间（tRP）：15ns
　　行到列延迟（tRCD）：15ns
　　突发长度：支持1, 2, 4, 8
　　工作模式：同步、双倍数据速率

MT47H64M16NF-187E:M具备多项先进特性，使其在同类DDR2 SDRAM产品中表现出色。首先，该芯片采用双倍数据速率技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，有效提升了数据传输效率。其内部存储结构划分为8个独立的bank，允许在不同bank之间进行交错操作，从而提高整体访问效率和带宽利用率。例如，在一个bank进行预充电的同时，另一个bank可以执行读写操作，这种并行机制显著降低了系统等待时间。此外，该器件支持可编程的突发长度（Burst Length）和CAS延迟（CAS Latency），用户可根据系统性能需求灵活配置，优化读写时序与功耗之间的平衡。
　　该芯片集成了自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，确保在正常运行和低功耗待机状态下都能维持数据完整性。自刷新模式特别适用于电池供电或待机状态下的应用，能够大幅降低功耗。同时，其支持部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）技术，允许仅对部分存储区域进行刷新，进一步节省能耗。
　　在电气设计方面，MT47H64M16NF-187E:M采用SSTL_18（Stub Series Terminated Logic）接口标准，具备良好的信号完整性和抗噪声能力，适合高速信号传输。其内部集成了片内终端（On-Die Termination, ODT），可在读写操作期间动态启用，减少信号反射和串扰，提升系统稳定性。此外，该器件支持写入突发打掩（Write Burst Chop）和多种突发模式（如顺序或交错），增强了与不同控制器的兼容性。
　　该芯片还具备出色的温度适应能力，提供工业级温度版本，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适用于严苛的工业和户外环境。美光对该产品实施严格的制造工艺和可靠性测试，包括高温老化测试（Burn-In）、耐久性测试和数据保持测试，确保长期使用的稳定性与可靠性。

MT47H64M16NF-187E:M广泛应用于对成本、功耗和性能有综合要求的中端电子系统中。在嵌入式系统领域，它常用于基于ARM、Power Architecture或MIPS架构的处理器平台，作为主系统内存，支持操作系统运行和应用程序数据处理。在消费类电子产品中，该芯片被用于数字电视、机顶盒、家庭网关和智能显示器等设备，提供足够的内存带宽以支持高清视频解码和图形渲染。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机和IP摄像头，MT47H64M16NF-187E:M为数据包缓存、路由表存储和视频流处理提供可靠的内存支持。其低延迟和高并发访问能力有助于提升网络吞吐量和响应速度。在工业自动化和控制系统中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和工业计算机，满足实时数据采集与处理的需求。
　　此外，该芯片也适用于医疗设备、测试仪器和POS终端等对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。由于其采用小型化FBGA封装，特别适合空间受限的便携式设备。尽管DDR3和LPDDR4等新一代内存技术已逐渐普及，但在许多现有设计和成本敏感型项目中，DDR2仍因其成熟的技术生态和较低的总体拥有成本而被广泛采用。因此，MT47H64M16NF-187E:M在维护和升级现有系统方面仍具有重要价值。

MT47H64M16NF-25E:K
　　MT47H64M16NT-187E:K
　　IS43LR32320D-187F2BLI