类型：DDR2 SDRAM
　　容量：1 Gb (64M x 16)
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　时钟频率：400 MHz（等效1600 Mbps 数据速率）
　　速度等级：-37E（对应CL = 6，tRC = 49.5ns）
　　封装：86-ball FBGA (11mm x 13mm)
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　引脚数：86
　　组织结构：4 Banks, 64M x 16
　　数据宽度：16位
　　刷新模式：自动/自刷新，支持TCSR/PASR
　　兼容性：符合JEDEC DDR2-800 (PC2-6400) 标准

MT47H64M16HW-37EIT:E具备多项先进特性以确保高性能与高可靠性。其核心特性之一是支持双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均传输数据，从而实现高达1600 Mbps的数据传输速率，显著提升系统带宽效率。该器件采用4银行交错架构，允许同时管理多个内存页面，减少访问延迟并提高并发操作能力。为了优化功耗管理，芯片集成了多种节能模式，包括自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）和部分阵列自刷新（PASR）。TCSR功能可根据芯片内部温度动态调整刷新率，在高温环境下保持数据完整性的同时避免过度刷新带来的能耗浪费；而PASR则允许用户选择性地关闭某些存储阵列的刷新操作，进一步降低待机功耗，特别适用于电池供电或对能效要求较高的嵌入式系统。
　　此外，该DRAM支持可编程CAS潜伏期（CL）、突发长度和突发类型，提供灵活的配置选项以适应不同系统的性能需求。内置的ODT（On-Die Termination）功能可在读写过程中启用片内终端电阻，有效减少信号反射和噪声干扰，提升高速信号完整性。器件还具备ZQ校准支持（通过外部参考电阻），确保输出驱动和ODT阻抗在整个工作条件范围内保持稳定。所有控制信号均在时钟的上升沿采样，保证了同步操作的精确性。MT47H64M16HW-37EIT:E通过严格的工业级温度认证（-40°C至+85°C），确保在极端环境下的长期稳定性，适用于工业自动化、通信基站、监控设备等严苛应用场景。其无铅封装设计符合现代环保法规要求，便于回流焊工艺集成，并具备良好的热性能和机械可靠性。

MT47H64M16HW-37EIT:E广泛应用于多种需要可靠、中等容量、高性能内存支持的电子系统中。在工业控制领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业计算机和运动控制系统，因其宽温特性和高稳定性，可在工厂恶劣环境中长期运行。在网络通信设备中，如路由器、交换机、防火墙和IP摄像头，该芯片为数据包处理、缓存和视频流传输提供必要的内存支持。在消费类电子产品方面，适用于数字电视、机顶盒、多媒体播放器和智能家电等设备，满足图形渲染和多任务处理的内存需求。此外，该器件也常见于医疗设备、测试仪器、车载信息系统和POS终端等嵌入式平台，作为主系统内存或协处理器缓存使用。由于其16位数据宽度和1Gbit容量适中，特别适合那些不需大容量内存但对成本、功耗和可靠性有较高要求的设计。结合其工业级温度范围和环保合规性，MT47H64M16HW-37EIT:E成为许多中低端嵌入式系统中理想的DDR2内存解决方案。

MT47H64M16HRAT-37:E
　　MT47H64M16BT-37E:IT
　　IS42S16160D-3BLI