型号：MT47H64M16HR-3:H TR
　　制造商：Micron Technology
　　存储类型：DDR2 SDRAM
　　存储容量：64M x 16 (128MB)
　　供电电压：1.7V ~ 1.95V (典型值 1.8V)
　　时钟频率：最高 166MHz（等效 333MHz 数据速率）
　　数据速率：667 Mbps (DDR2-667)
　　CAS 延迟（CL）：3
　　封装类型：FBGA, 84-ball
　　引脚间距：0.8mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　组织结构：64Meg x 16
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh, TCSR, PASR
　　接口类型：并行同步
　　每芯片位宽：16-bit
　　最大访问时间：3ns (tAC)
　　工作模式：全静态操作，支持突发读写

MT47H64M16HR-3:H TR 具备多项先进特性，使其在同类 DDR2 内存产品中表现出色。首先，该芯片采用 DDR2 技术的核心优势——双倍数据速率架构，在时钟信号的上升沿和下降沿均传输数据，从而在相同频率下实现两倍于传统 SDR SDRAM 的数据吞吐能力。其 667 Mbps 的数据传输速率能够满足大多数中高端嵌入式处理器对内存带宽的需求，尤其适用于图像处理、网络数据包缓冲和实时控制任务。其次，该器件支持多种电源管理功能，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）、温度补偿自刷新（TCSR）和部分阵列自刷新（PASR）。这些功能显著降低了待机或轻负载状态下的功耗。例如，TCSR 可根据芯片内部温度动态调整刷新周期，避免在低温环境下过度刷新造成不必要的能耗；而 PASR 则允许用户仅刷新正在使用的存储区域，进一步优化功耗表现。此外，该芯片具备出色的信号完整性设计，支持差分时钟输入（CK/CK#）以提高时钟抗干扰能力，并通过片内终端（On-Die Termination, ODT）技术减少信号反射和串扰，提升高速运行时的稳定性。MT47H64M16HR-3:H TR 还支持多种突发长度（Burst Length）配置，如固定突发长度 4 或 8，以及交错或顺序寻址模式，增强了系统的灵活性和兼容性。所有控制、地址和数据输入均在时钟上升沿采样，保证了严格的同步操作。该器件还具备完整的 JEDEC 标准兼容性，确保与其他 DDR2 控制器的良好互操作性。最后，其工业级温度范围和高可靠性设计使其能够在恶劣环境（如高温、高湿、振动）下稳定运行，非常适合用于工业自动化、通信基站、医疗设备和车载系统等对长期稳定性要求极高的应用场景。
　　

MT47H64M16HR-3:H TR 广泛应用于对内存性能和可靠性有较高要求的电子系统中。在通信设备领域，它常用于路由器、交换机和网络附加存储（NAS）设备中，作为数据包缓存或协议处理的临时存储单元，其高带宽和低延迟特性有助于提升网络吞吐效率。在工业控制与自动化系统中，该芯片被集成于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和运动控制卡中，用于存储程序变量、实时传感器数据和执行中间计算结果。由于其支持工业级温度范围和多种节能模式，特别适合部署在工厂车间、户外机柜等环境复杂、散热条件有限的场合。在消费类电子产品方面，该器件可用于数字电视、机顶盒、智能监控摄像头等设备，支持视频流解码和图形渲染所需的快速内存访问。此外，在医疗电子设备中，如便携式监护仪、超声成像系统，MT47H64M16HR-3:H TR 提供稳定可靠的内存支持，确保关键数据不丢失且响应及时。在汽车电子领域，尽管当前主流已转向 DDR3/DDR4，但在一些老款或成本敏感型车载信息娱乐系统（IVI）中仍可见其身影。同时，该芯片也常用于各种基于 FPGA 或 DSP 的开发平台和评估板中，作为通用扩展内存使用。得益于其标准化接口和良好的兼容性，工程师可以轻松将其集成到多种处理器架构（如 ARM、PowerPC、MIPS）的系统中，配合内存控制器实现高效的内存子系统设计。此外，由于其卷带包装（TR）形式适合 SMT 自动化贴装，因此在批量生产中具有良好的可制造性和供应链稳定性，进一步扩大了其在各类中端嵌入式市场中的应用广度。
　　

MT47H64M16HF-3:H IT
　　MT47H64M16HRZ-3:H TR
　　IS43LR32800-6BLI8