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MT47H64M16HR-25E IT:H 发布时间 时间:2025/5/22 14:29:36 查看 阅读:14

MT47H64M16HR-25E 是由 Micron(镁光)生产的一款 DDR3 SDRAM 芯片,属于高性能存储器系列。该芯片主要用于需要高带宽和低功耗的应用场景,广泛适用于计算机、服务器、网络设备和其他嵌入式系统中。
  其设计符合 JEDEC DDR3 标准,支持更高的数据传输速率和更低的功耗模式,能够满足现代电子设备对内存性能的需求。

参数

容量:4Gb
  组织:64Mb x 16
  核心电压(Vcc):1.35V
  I/O电压(Vccq):1.35V
  速度:1600Mbps
  封装类型:FBGA
  引脚数:96
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  刷新周期:64ms

特性

MT47H64M16HR-25E 提供了卓越的性能表现和可靠性,主要特性如下:
  1. 支持 DDR3L 的低电压运行(1.35V),有助于降低整体系统的功耗。
  2. 最大传输速率达到 1600Mbps,提供更快的数据处理能力。
  3. 内置自动刷新和自刷新功能,确保数据完整性并减少控制器负担。
  4. 支持多种省电模式,例如深度电源降级 (DPD) 和动态时钟停止 (DCS),以进一步优化功耗。
  5. 高密度存储解决方案使其非常适合空间受限的设计。
  6. 宽泛的工作温度范围使该芯片能够在各种环境下稳定运行。

应用

MT47H64M16HR-25E 适用于多种需要高性能存储的应用场景,包括但不限于:
  1. 台式电脑和笔记本电脑的主内存扩展。
  2. 工业控制设备中的实时数据处理。
  3. 网络通信设备,如路由器和交换机的缓存存储。
  4. 嵌入式系统中的图像和信号处理任务。
  5. 医疗成像设备和科学仪器等对速度和可靠性要求较高的场合。

替代型号

MT47H64M16HR-25:H, MT47H64M16JR-25:E, MT47H64M16JR-25:H

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MT47H64M16HR-25E IT:H参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型DDR2 SDRAM
  • 存储容量1G(64M x 16)
  • 速度2.5ns
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商设备封装84-FBGA(8.0x12.5)
  • 包装托盘