MT47H64M16HR-25E 是由 Micron(镁光)生产的一款 DDR3 SDRAM 芯片,属于高性能存储器系列。该芯片主要用于需要高带宽和低功耗的应用场景,广泛适用于计算机、服务器、网络设备和其他嵌入式系统中。
其设计符合 JEDEC DDR3 标准,支持更高的数据传输速率和更低的功耗模式,能够满足现代电子设备对内存性能的需求。
容量:4Gb
组织:64Mb x 16
核心电压(Vcc):1.35V
I/O电压(Vccq):1.35V
速度:1600Mbps
封装类型:FBGA
引脚数:96
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
刷新周期:64ms
MT47H64M16HR-25E 提供了卓越的性能表现和可靠性,主要特性如下:
1. 支持 DDR3L 的低电压运行(1.35V),有助于降低整体系统的功耗。
2. 最大传输速率达到 1600Mbps,提供更快的数据处理能力。
3. 内置自动刷新和自刷新功能,确保数据完整性并减少控制器负担。
4. 支持多种省电模式,例如深度电源降级 (DPD) 和动态时钟停止 (DCS),以进一步优化功耗。
5. 高密度存储解决方案使其非常适合空间受限的设计。
6. 宽泛的工作温度范围使该芯片能够在各种环境下稳定运行。
MT47H64M16HR-25E 适用于多种需要高性能存储的应用场景,包括但不限于:
1. 台式电脑和笔记本电脑的主内存扩展。
2. 工业控制设备中的实时数据处理。
3. 网络通信设备,如路由器和交换机的缓存存储。
4. 嵌入式系统中的图像和信号处理任务。
5. 医疗成像设备和科学仪器等对速度和可靠性要求较高的场合。
MT47H64M16HR-25:H, MT47H64M16JR-25:E, MT47H64M16JR-25:H