时间：2025/5/12 14:19:45
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MT47H256M8EB-25E 是由 Micron（美光）生产的一款 DDR3 SDRAM 芯片，广泛应用于计算机系统、服务器和嵌入式设备中。该芯片属于高密度存储解决方案，具有较高的数据传输速率和低功耗特性，能够满足现代电子设备对高性能内存的需求。
DDR3 技术通过改进的数据预取架构、更高的时钟频率以及更低的工作电压，显著提升了数据吞吐量并降低了能耗。
容量：2Gb
组织方式：256M x 8
工作电压：1.35V
数据速率：2500Mbps (PC3-2000)
封装形式：FBGA
引脚数：96-ball
工作温度范围：-40°C to +85°C
存取时间：CL=11
刷新模式：自动刷新
MT47H256M8EB-25E 具有以下主要特性：
1. 支持 DDR3L 标准，适用于需要较低工作电压的场景。
2. 数据速率达到 2500Mbps，提供快速的数据传输能力。
3. 内置 DLL（延迟锁定环路），确保信号完整性并优化时序性能。
4. 配备 ODT（板载终端电阻）功能，减少信号反射并提高多负载环境下的稳定性。
5. 支持 ECC（错误校验与纠正）功能，增强数据可靠性。
6. 符合 JEDEC 标准，易于与其他兼容组件集成。
7. 工作温度范围广，适合工业及商业应用环境。
MT47H256M8EB-25E 主要应用于以下领域：
1. 台式机和笔记本电脑的主内存模块。
2. 嵌入式系统中的高速缓存和数据存储。
3. 网络通信设备，如路由器和交换机。
4. 医疗成像设备和其他对数据处理速度要求较高的应用。
5. 工业自动化控制器和实时监控系统。
其高性能和低功耗特点使其成为众多电子设备的理想选择。
MT47H256M8HB-25E
MT47H256M8RR-25E
MT47H256M8RT-25E
