型号：MT47H256M4CF-25:H
　　制造商：Micron Technology
　　类型：DDR SDRAM
　　容量：1Gb (256Meg x 4)
　　数据宽度：4-bit
　　电压：VDD = 2.5V, VDDQ = 2.5V/1.8V
　　时序等级：-25 表示最大访问时间为 2.5ns，对应时钟频率约 200MHz（DDR-400 等效）
　　封装：78-ball FBGA
　　引脚数：78
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　存储结构：16M x 16 x 4 banks
　　接口类型：CMOS
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh
　　时钟频率：最高支持 200MHz（数据速率 400Mbps）
　　每bank行数：8,192
　　每行列数：1,024
　　突发长度：可编程为 4 或 8
　　突发类型：顺序或交错

MT47H256M4CF-25:H 具备多项关键技术特性，使其成为工业与通信领域广泛应用的理想选择。首先，该芯片采用 DDR 技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均能进行数据传输，实现了双倍于传统 SDR SDRAM 的数据速率。在 -25 时间等级下，其允许的最大访问延迟为 2.5ns，支持高达 400Mbps 的数据传输速率（DDR-400 水平），满足大多数中高端嵌入式系统的性能需求。这种高速率结合低延迟的设计，使得处理器与内存之间的数据交换更加高效，尤其适用于视频处理、网络数据包缓存等对带宽敏感的应用。
　　其次，该器件具备良好的电源管理能力。它支持多种低功耗操作模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）。在自刷新模式下，内存控制器可以进入休眠状态，而 DRAM 自身维持数据完整性所需的刷新操作由内部电路完成，这极大降低了待机功耗，特别适合电池供电或绿色节能型设备使用。此外，核心电压为 2.5V，I/O 电压兼容 2.5V 和 1.8V，增强了与不同逻辑电平系统的接口灵活性。
　　再者，其 78-ball FBGA 封装提供了优良的电气性能和散热能力，同时占用 PCB 面积极小，有利于实现紧凑型设计。所有输入/输出均采用 CMOS 工艺制造，具备较强的抗噪声能力和稳定性。器件还支持可配置的突发长度（Burst Length）和突发类型（Sequential/Interleaved），允许系统根据实际应用优化数据读写效率。最后，美光提供的长期供货保障和严格的质量控制体系，使该型号在工业和通信市场中拥有很高的可靠性声誉，适用于需要长时间稳定运行的关键任务系统。

MT47H256M4CF-25:H 主要应用于对存储性能和可靠性有较高要求的工业及通信设备中。常见用途包括路由器、交换机等网络基础设施设备中的数据缓冲存储，用于临时存放高速流动的数据包以缓解主处理器的压力。由于其支持 DDR-400 数据速率，能够有效应对千兆以太网环境下的突发流量，因此在网络通信模块中被广泛采用。
　　此外，该芯片也适用于工业自动化控制系统，如 PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和远程 I/O 模块。这些系统通常需要在宽温范围内稳定运行，而 MT47H256M4CF-25:H 提供的 -40°C 至 +85°C 工业级温度范围正好满足这一需求。在嵌入式视觉系统、医疗设备显示终端、POS 机和智能仪表中，该内存也被用作图形帧缓冲或程序运行内存。
　　由于其 x4 位宽设计，该芯片常用于多片并联构建更宽数据总线（例如四片并成 x16 或八片并成 x32）的场合，适用于 FPGA 开发平台、DSP 子系统和专用 ASIC 搭配使用的场景。其高可靠性和长期供货性也使其成为军工、航空航天等长生命周期项目中的优选存储元件之一。

MT47H256M4BT-25:E
　　IS42S25604A-25BLI
　　IS42S25604K-25BLI
　　W9425G6KH-25