类型：DDR SDRAM
　　密度：256Mb
　　组织结构：16M x 16
　　电压：2.5V / 2.625V
　　封装：60-ball FBGA (8mm x 13.5mm)
　　速度等级：333MHz (tCK = 6ns)
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　引脚数：60
　　数据宽度：16位
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　突发长度：支持BL=4, BL=8
　　CAS延迟：CL=2, CL=2.5
　　内部Bank数量：4
　　预充电方式：自动预充电、独立预充电

MT47H128M8CF-3ITH具备多项先进特性以满足高性能系统对内存带宽和能效的需求。首先，它支持双倍数据速率技术，允许在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，有效实现数据速率翻倍，最大可达333Mbps/pin，显著提升了系统整体的数据处理能力。该器件内部采用四个独立的Bank结构设计，支持交错访问操作，可在不同Bank之间进行快速切换，减少等待时间，提升连续读写效率。此外，支持可编程的突发长度（包括BL=4和BL=8两种模式），用户可根据具体应用需求选择最优配置，优化数据传输效率。
　　在功耗管理方面，MT47H128M8CF-3ITH集成了自动刷新和自刷新功能。自动刷新由外部控制器周期性触发，确保数据完整性；而自刷新模式则可在系统低功耗待机状态下由芯片自主完成刷新操作，大幅降低静态功耗，延长电池供电系统的运行时间。同时，器件支持部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh）特性，允许关闭部分存储阵列以进一步节能。CAS延迟支持CL=2和CL=2.5两种设置，兼顾高速响应与稳定性，适应不同主控平台的时序匹配要求。
　　该芯片还具备良好的电气兼容性，符合JEDEC标准的DDR SDRAM协议，支持标准命令集如激活、读写、预充电、刷新等，并可通过模式寄存器配置工作参数。其60-ball FBGA封装具有优异的散热性能和机械可靠性，适合自动化贴片生产。所有输入输出引脚均支持SSTL_25 I/O标准，具备适当的驱动强度和抗干扰能力，确保在高频工作下的信号完整性。整体设计注重稳定性与长期可用性，适用于工业、医疗、网络等对可靠性要求严苛的应用场景。

MT47H128M8CF-3ITH广泛应用于多种需要中等容量、高性能DDR内存的电子系统中。常见应用领域包括网络基础设施设备，如路由器、交换机和防火墙，用于缓存数据包和运行嵌入式操作系统；工业控制与自动化设备，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工业计算机，依赖其稳定性和宽温特性保证长时间可靠运行；通信基站和无线接入点也常采用该芯片作为主存，以支持实时信号处理和协议栈运算。
　　此外，在消费类电子产品中，如高端机顶盒、数字视频录像机（DVR）、智能电视和多媒体终端，MT47H128M8CF-3ITH可用于图形渲染和多任务处理所需的内存支持。医疗设备中的便携式监护仪、成像系统控制模块同样受益于其低功耗和高可靠性特点。由于其工业级温度范围和长期供货保障，该器件也被广泛用于军事、航空航天及轨道交通等对元器件生命周期和环境适应性有严格要求的领域。在FPGA开发板或ASIC验证平台上，该DDR芯片常被用作外部扩展存储器，配合Xilinx或Intel（原Altera）的高端可编程器件构建完整的计算架构。

MT47H128M8CF-3BTI
　　MT47H128M8FB-3:ITH
　　MT47H64M16CF-3ITH