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MT47H128M16RT-25E AIT:C TR 发布时间 时间:2025/10/22 9:52:11 查看 阅读:9

MT47H128M16RT-25E AIT:C TR 是由Micron(美光)公司生产的一款高性能、低功耗的DDR2 SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片。该器件采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,具有高密度存储能力,广泛应用于网络设备、工业控制、嵌入式系统和消费类电子产品中。该型号中的'128M16'表示其存储结构为128兆个存储单元,每个单元16位宽,总容量为2Gbit(即256MB)。工作电压为1.8V ±0.1V,符合JEDEC标准的DDR2接口规范。该芯片支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCSR)和部分阵列自刷新(PASR)等节能功能,有助于在不同工作环境下优化功耗表现。后缀'-25E'表示其工作速度等级为2.5ns,对应时钟频率为400MHz(等效数据传输速率为800Mbps),属于PC2-6400标准。'AIT:C'代表产品经过特定的测试与可靠性标准,'TR'表示卷带包装,适合自动化贴片生产。这款芯片因其稳定性、兼容性和高性价比,在多种需要中等容量内存缓冲的应用场景中被广泛采用。

参数

制造商:Micron Technology
  系列:DDR2 SDRAM
  产品类型:Dynamic RAM
  存储容量:2 Gbit
  存储配置:128 M x 16
  工作电压:1.7V ~ 1.95V
  最大时钟频率:400 MHz
  数据速率:800 Mbps
  访问时间:2.5 ns
  输入/输出标准:SSTL_18
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:FBGA-90
  引脚数:90
  组织结构:4 Banks
  预充电延迟(tRP):15 ns
  行地址到列地址延迟(tRCD):15 ns
  CAS 延迟(CL):5
  突发长度:4, 8
  刷新周期:64ms / 8192 rows
  封装宽度:8mm x 13.5mm
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

MT47H128M16RT-25E 具备多项先进特性以满足现代电子系统对性能和能效的需求。首先,其DDR2架构采用双倍数据速率技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均传输数据,有效提升数据吞吐率至800Mbps,显著高于传统SDRAM。其次,该芯片集成OCD(Off-Chip Driver Calibration)功能,可在上电初始化期间自动校准输出驱动阻抗,确保信号完整性,减少反射和串扰,提高系统稳定性。此外,支持ZQ校准(通过外部240Ω参考电阻)用于动态调整输出驱动和ODT(On-Die Termination)电阻值,进一步优化高速信号传输质量。
  该器件具备多种低功耗模式,包括自动刷新(Auto Refresh)、自刷新(Self Refresh)以及温度补偿自刷新(TCSR),可根据环境温度动态调整刷新周期,在高温下增加刷新频率以保持数据完整性,低温时降低频率以节省功耗。部分阵列自刷新(PASR)功能允许用户选择性地刷新正在使用的存储区,从而进一步降低功耗,特别适用于电池供电或对能效敏感的应用场景。
  MT47H128M16RT-25E 支持可编程CAS延迟(CL=5)、突发长度(BL=4或8)和突发类型(顺序或交错),增强了系统设计的灵活性。内置的DLL(Delay-Locked Loop)模块用于同步内部时钟与外部时钟,减少时钟偏移,提高读写定时精度。其FBGA-90封装具有良好的热性能和电气性能,适合高密度PCB布局。所有控制信号均在时钟的上升沿采样,实现精确的同步操作。该器件符合RoHS环保标准,无铅工艺,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下仍能稳定运行。

应用

MT47H128M16RT-25E 广泛应用于对中等容量内存和稳定性能有要求的各类电子系统中。在网络通信设备中,如路由器、交换机和网络附加存储(NAS),该芯片用于数据包缓存和临时数据存储,其高带宽和低延迟特性有助于提升数据处理效率。在工业自动化领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和工业计算机,提供可靠的运行内存支持,保障长时间连续工作的稳定性。消费类电子产品,如数字电视、机顶盒、智能显示器和多媒体播放器,也普遍采用该型号作为主存储器或图形缓存,以支持流畅的音视频解码和用户交互体验。
  此外,该芯片适用于嵌入式系统设计,包括POS终端、医疗监控设备、车载信息娱乐系统和安防监控摄像头。在这些应用中,其宽温工作能力、低功耗特性和高可靠性尤为重要。由于其标准DDR2接口和良好的兼容性,MT47H128M16RT-25E 可轻松集成到基于FPGA或嵌入式处理器(如NXP、TI、Xilinx等厂商的SoC平台)的设计中,作为外部扩展内存使用。对于需要长期供货保障和工业级品质的产品项目,该型号是一个成熟且值得信赖的选择。其卷带包装形式(TR)也便于大规模SMT(表面贴装技术)生产线使用,降低制造成本。

替代型号

MT47H128M16RT-25:H TR
  MT47H128M16RT-25E IT
  MT47H128M16RT-37:E TR
  IS43LR16256A-8BLI

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MT47H128M16RT-25E AIT:C TR参数

  • 现有数量1,110现货
  • 价格1 : ¥145.01000剪切带(CT)1,000 : ¥94.10300卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-FBGA(9x12.5)