MT4606是一款由Micron Technology生产的低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片广泛应用于需要快速数据访问和低功耗的场景,例如通信设备、工业控制和消费类电子产品。其设计结合了高密度和高性能的特点,能够在较低的工作电压下实现稳定的数据存储和读写操作。
容量:512K x 8位=4Mbit
工作电压:1.7V至1.9V
工作电流:最大20mA
待机电流:最大2μA
访问时间:最快5ns
封装形式:TQFP、BGA
工作温度范围:-40°C至+85°C
引脚数:根据封装不同,通常为48或64
MT4606采用了先进的制造工艺,确保在低功耗模式下的性能表现依然出色。
该芯片支持快速的随机访问,具有极低的访问延迟,适用于对实时性要求较高的应用。
其宽泛的工作电压范围使得该芯片能够兼容多种电源系统,增强了灵活性。
此外,它具备强大的抗干扰能力和数据保持能力,在极端环境下也能保持数据完整性。
由于其紧凑的封装设计,MT4606非常适合空间受限的应用场景。
MT4606主要应用于需要大容量缓存和快速数据交换的场景,如网络路由器、交换机等通信设备中的数据缓冲。
同时,它也适用于各种嵌入式系统的临时数据存储,例如工业自动化控制器、医疗设备以及高端消费类电子产品的图形处理单元(GPU)缓存。
此外,由于其低功耗特性,MT4606在便携式设备中也有广泛应用,比如平板电脑和智能手表。
MT46H32M16LF-7EIT:128Mbit SRAM
IS61LV25616: 256K x 16位 SRAM
AS4C16M16D3B-10TCN: 16M x 16位 SRAM