容量：2Gb
　　组织结构：64M x32
　　电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：96-ball FBGA
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　接口类型：x32
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：186MHz
　　CAS延迟：5.4ns
　　访问时间：5.4ns
　　

MT42L64M32D2HE18DP具备多项先进特性，使其在各种高性能存储应用中表现出色。首先，该芯片采用了低电压设计（1.8V），不仅降低了功耗，还减少了热量的产生，从而提高了整体系统的能效和稳定性。其次，其64M x32的组织结构提供了2Gb的存储容量，能够满足对存储密度有较高要求的应用场景。
　　此外，MT42L64M32D2HE18DP支持高速数据访问，具有166MHz的时钟频率和186MHz的数据速率，CAS延迟为5.4ns，访问时间同样为5.4ns，确保了数据传输的快速性和稳定性。这使得该芯片非常适合需要快速响应和大量数据处理的应用，例如路由器、交换机、视频处理设备等。
　　在封装方面，该芯片采用了96-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，这种封装方式不仅提供了更高的引脚密度，还改善了电气性能和散热能力，适用于高密度PCB设计。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。

MT42L64M32D2HE18DP主要用于需要高性能、低功耗和高可靠性的工业级设备中。例如，在网络设备中，该芯片可以作为缓存或主存储器，用于提升数据包处理的速度和效率。在嵌入式系统中，它能够提供高速数据存储支持，满足实时处理的需求。此外，在工业控制、自动化设备和视频处理系统中，MT42L64M32D2HE18DP也能发挥出色的性能，为系统提供稳定的存储支持。
　　由于其高密度和高速特性，该芯片也常用于高性能计算设备、测试与测量仪器、通信基础设施设备等。在这些应用中，数据处理的速度和存储容量是关键因素，MT42L64M32D2HE18DP能够有效提升系统的整体性能和响应能力。

MT42L64M32D2BP4-18A, MT42L64M32D2B4-18A