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MT41K512M8RH-125:E 发布时间 时间:2025/5/13 10:05:47 查看 阅读:5

MT41K512M8RH-125:E 是由 Micron Technology(美光科技)生产的一款 DDR3L SDRAM 芯片。DDR3L 是 DDR3 的低电压版本,工作电压为 1.35V,主要应用于对功耗要求较高的场景,如笔记本电脑、平板设备和嵌入式系统等。这款芯片的容量为 512Mb(64MB),采用 x8 数据宽度,封装形式为 FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)。其命名中的 -125 表示该芯片的最大时钟频率为 125MHz。

参数

类型:DDR3L SDRAM
  容量:512Mb (64MB)
  数据宽度:x8
  工作电压:1.35V
  最大时钟频率:125MHz
  封装形式:FBGA
  引脚数:96
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

MT41K512M8RH-125:E 提供了较低的工作电压(1.35V),相比标准 DDR3 的 1.5V 更加节能。其内部结构基于单体 512Mb 存储单元设计,支持突发长度为 8 或 4 的读写操作。
  此外,它具备以下特点:
  1. 支持 CAS 延迟(CL)设置,典型值为 CL=7。
  2. 具备自动刷新和自刷新功能,确保数据在断电或低功耗模式下的完整性。
  3. 内置温度补偿刷新(TCR)机制,可以根据环境温度动态调整刷新速率。
  4. 支持热插拔和即插即用功能。
  5. 符合 JEDEC DDR3L 标准规范。
  6. 采用无铅环保封装技术,符合 RoHS 标准。

应用

MT41K512M8RH-125:E 主要应用于需要低功耗存储解决方案的领域,包括但不限于:
  1. 笔记本电脑和超极本。
  2. 平板电脑和其他移动设备。
  3. 工业控制和嵌入式系统。
  4. 网络通信设备。
  5. 医疗电子设备。
  6. 汽车电子系统。
  由于其低电压和高可靠性,这款芯片非常适合用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场合。

替代型号

MT41K512M8RE-125:E

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MT41K512M8RH-125:E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织512M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间13.75 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-FBGA(9x10.5)