时间：2025/5/8 14:37:58
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MT41K512M8RH-125 IT:E 是一款由 Micron Technology（美光科技）生产的 DDR3L SDRAM 内存芯片。该芯片采用低功耗 1.35V 电压设计，适用于移动设备、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的应用场景。
DDR3L 技术提供更高的带宽和更快的数据传输速率，同时保持较低的功耗。这款芯片支持 8-bank 架构，具有高可靠性和稳定性，广泛用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。
类型：DDR3L SDRAM
容量：512Mb
组织：x8
核心电压：1.35V
I/O 电压：1.35/1.5/1.8/2.5V
数据速率：800/1066/1333/1600Mbps
封装：BGA
引脚数：78-ball
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
JEDEC 标准：符合 JEDEC DDR3L 标准
MT41K512M8RH-125 IT:E 芯片具备以下显著特性：
1. 高速数据传输：支持高达 1600 Mbps 的数据速率，满足高性能计算需求。
2. 低功耗：使用 1.35V 电压，降低功耗并延长电池续航时间。
3. 稳定性与可靠性：采用先进的制造工艺，确保长时间运行中的稳定性。
4. 多电压兼容：支持多种 I/O 电压配置（1.35V/1.5V/1.8V/2.5V），便于系统集成。
5. 小型化封装：78-Ball BGA 封装减少空间占用，适合紧凑型设计。
6. 广泛的工作温度范围：适应不同环境下的操作需求，提升应用灵活性。
MT41K512M8RH-125 IT:E 主要应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑：
为这些便携式设备提供高速内存支持，满足多媒体处理和多任务运行的需求。
2. 嵌入式系统：
在工业控制、医疗设备等嵌入式应用中，提供高效的数据存储和处理能力。
3. 网络通信设备：
路由器、交换机等网络设备需要快速数据交换时，此芯片可作为内存解决方案。
4. 数字消费电子产品：
如数码相机、游戏机等，需要大容量、低功耗内存支持的产品中。
MT41K512M8RE-125 IT:E
MT41K512M8RH-125:
MT41K512M8RE-125
