类型：DDR3L SDRAM
　　密度：8 Gb (512M x16)
　　工作电压：1.35V ± 0.1V
　　数据速率：1600 Mbps (DDR3-1600)
　　时钟频率：800 MHz
　　访问时间：125 ps
　　工作温度（环境）：-40°C 至 +85°C
　　结温范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：96-ball FBGA (6mm x 12mm)
　　引脚间距：0.8 mm
　　JEDEC 标准：符合 DDR3L 规范
　　刷新周期：7.8 μs (典型值)
　　预充电延迟（tRP）：12.5 ns
　　行到列延迟（tRCD）：12.5 ns
　　CAS 延迟（CL）：11 cycles @ 1600 Mbps
　　突发长度：8 (BL=8) 或 4 (using BC4)
　　内部银行数量：8
　　I/O 电平：SSTL_135
　　最大功耗：约 1.5 W（典型工作负载下）

MT41K512M16TNA-125 IT:E 具备多项先进的电气与架构特性，确保其在高性能与低功耗之间实现良好平衡。首先，该器件采用 DDR3L 技术，支持 1.35V 低压运行，相比标准 1.5V DDR3 内存在相同带宽下可降低约 20% 的功耗，非常适合电池供电或热管理受限的应用。其 8Gb 密度以 x16 接口形式提供，减少了所需芯片数量，简化了内存控制器布线，并提高了系统集成度。该芯片支持最高 1600 Mbps 的数据传输速率，对应 800MHz 时钟频率，具备 CL11 的 CAS 延迟，在性能上满足大多数中高端嵌入式处理器的需求。
　　其次，该器件具备完整的电源管理功能。支持自动刷新和自刷新模式，在系统空闲时可大幅降低动态功耗。温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据芯片内部温度动态调整刷新率，在高温环境下保持数据完整性的同时避免过度刷新带来的额外能耗。部分阵列自刷新（PASR）允许用户选择性地刷新正在使用的内存区域，进一步节省电力。此外，该芯片支持深度掉电模式（Deep Power-down Mode），可在长时间不使用时将电流降至极低水平，适用于待机或休眠状态。
　　在可靠性方面，MT41K512M16TNA-125 IT:E 支持 ZQ 校准功能，通过外部参考电阻（通常为 240Ω）自动调整输出驱动阻抗和 ODT（On-Die Termination）电阻，确保信号完整性，尤其是在高频运行时减少反射和串扰。其 8 个内部银行结构支持交替访问，提升并发处理能力，有效提高内存带宽利用率。所有定时参数均符合 JEDEC DDR3L 标准，保证与其他兼容控制器的互操作性。最后，该器件通过了严格的工业级认证，可在 -40°C 至 +85°C 环境温度下长期稳定运行，结温可达 125°C，适合部署在高温工业环境或密闭空间中。

MT41K512M16TNA-125 IT:E 广泛应用于对可靠性、功耗和性能有综合要求的工业与嵌入式系统中。常见应用场景包括工业自动化控制器（如 PLC、HMI）、网络通信设备（如路由器、交换机、基站模块）、视频监控系统（DVR/NVR）、医疗成像设备、车载信息娱乐系统以及航空航天与国防领域的嵌入式计算平台。由于其支持工业级温度范围和低电压运行，特别适合部署在无人值守或环境条件恶劣的户外设备中，例如远程监测站、智能电网终端和轨道交通控制系统。
　　在嵌入式处理器平台中，该内存常用于搭配 NXP i.MX 系列、TI AM57x、Xilinx Zynq SoC 或 Intel Atom 处理器，作为主系统内存提供高速数据存取能力。其 x16 接口设计降低了引脚数量需求，便于在空间受限的 PCB 上布局，同时仍能提供足够的带宽支持图形界面、多任务操作系统（如 Linux、RTOS）和实时数据处理。此外，在边缘计算网关和物联网聚合节点中，该芯片因其高密度和低功耗特性，成为构建高效能边缘存储解决方案的理想选择。对于需要长期供货保障和批次一致性的项目，美光提供的工业级产品线也提供了较好的供应链稳定性。

MT41K512M16HA-125 IT:P
　　MT41K512M16ME-125 AAT:F
　　MT41K256M16TB-125 AAT:E
　　IS43TR16512B-125KBNI