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MT41K256M16HA-125:E 发布时间 时间:2025/4/29 13:29:33 查看 阅读:4

MT41K256M16HA-125:E 是一款由 Micron(美光)生产的 DDR3 SDRAM 内存芯片。该芯片主要用于需要高带宽和低延迟的系统,例如服务器、网络设备以及高性能计算平台。
  这款芯片属于 DDR3 系列,支持更高的数据传输速率和更低的功耗特性。其设计符合 JEDEC 标准,具有高度兼容性和稳定性。

参数

容量:2Gb (256Mb x 8)
  组织结构:256M x 16
  核心电压:1.35V
  I/O 电压:1.35V
  数据速率:125MHz
  封装类型:FBGA 78-ball
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:1mm
  厚度:0.4mm

特性

MT41K256M16HA-125:E 提供了卓越的性能表现,支持高达 125MHz 的数据传输速率,并采用 1.35V 的低功耗设计以满足节能需求。
  该芯片具有出色的稳定性和可靠性,适合在严苛环境下运行。此外,它还采用了 FBGA 封装技术,能够有效减少寄生电感和电容的影响,从而提高信号完整性和整体性能。
  同时,这款芯片支持 On-Die Termination (ODT) 功能,可以在多芯片配置中优化信号质量并降低反射噪声。
  此外,MT41K256M16HA-125:E 还具备 Auto Refresh 和 Self-Refresh 功能,能够在空闲时自动保存数据,延长电池寿命或降低功耗。
  它的设计符合 JEDEC DDR3 标准,可与主流处理器和控制器无缝集成。

应用

MT41K256M16HA-125:E 主要应用于以下领域:
  1. 服务器和存储设备:
   高性能服务器需要大容量、高速度的内存来处理复杂的数据运算和存储任务,这款芯片可以提供可靠的支持。
  2. 工业控制:
   在工业自动化系统中,对实时性要求较高的场景下,这款 DDR3 芯片非常适合使用。
  3. 嵌入式系统:
   如通信基站、路由器和交换机等网络设备中,需要高效的数据传输能力,这款芯片可以胜任。
  4. 汽车电子:
   包括 ADAS(高级驾驶辅助系统)和车载信息娱乐系统,这些领域对稳定性和低功耗有较高要求。

替代型号

MT41K256M16HT-125:E

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MT41K256M16HA-125:E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间13.75 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-FBGA(9x14)