时间：2025/4/29 13:20:29
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MT41J256M16HA-125:E 是由 Micron（美光）生产的一款 DDR3L SDRAM 芯片。该芯片采用先进的制程工艺制造，具有低功耗、高性能的特点，广泛应用于移动设备、嵌入式系统和其他对功耗敏感的应用场景。DDR3L 是 DDR3 的低电压版本，工作电压为 1.35V，相较于标准的 DDR3（1.5V）可以进一步降低功耗。
该型号具体为 256M x 16 的配置，单颗芯片提供 4GB 的存储容量。其设计符合 JEDEC 标准，支持高带宽数据传输和多种时钟频率。
类型：DDR3L SDRAM
容量：256Mb x 16（4GB）
电压：1.35V
速度等级：125MHz（等效数据传输速率 1066Mbps）
封装形式：FBGA 96-ball
数据宽度：16位
引脚间距：1.0mm
工作温度：-40°C 至 +85°C
引脚配置：96球 FBGA
MT41J256M16HA-125:E 是一款高度优化的低功耗 DDR3L 存储芯片，主要特点包括：
1. 工作电压仅为 1.35V，比传统 DDR3 的 1.5V 更节能，适用于电池供电设备。
2. 支持高达 1066Mbps 的数据传输速率，满足现代计算和多媒体应用的高带宽需求。
3. 采用紧凑型 FBGA 96 球封装，适合空间受限的设计。
4. 内部包含自动刷新、电源管理等功能模块，简化系统设计。
5. 支持突发长度为 8 和 CAS 延迟范围为 7 到 11 的灵活配置，适应多种应用场景。
6. 具备 ECC（错误校正码）功能选项，提高数据可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
8. 提供工业级的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下的稳定性。
MT41J256M16HA-125:E 适用于对性能和功耗要求较高的应用领域，主要包括：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备。
2. 嵌入式系统，例如网络路由器、交换机和工业控制设备。
3. 数字电视、机顶盒和其他消费类电子产品。
4. 医疗设备和便携式测量仪器。
5. 汽车电子系统中的信息娱乐和导航模块。
6. 物联网（IoT）终端设备，如智能传感器和监控摄像头。
其低功耗特性和高密度存储能力使其成为许多现代电子设备的理想选择。
MT41J256M16HA-125:IT, MT41J256M16HT-125:IT
